DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

OBJETIVO GENERAL

Conocer los diferentes tipos de dispositivos optoelectronicos

INTRODUCCION

dispositivos opto-electrónicos, es decir dispositivos que convierten señales ópticas en señales electrónicas, o viceversa.

Los dispositivos son los siguientes:

• Fotodetectores: □ Fotodiodo

□ Fotodiodo PIN

□ Fotodiodo de Avalancha

□ Fototransistor

□ Fotoacoplador

□ Fotoresistencia (LDR)

• Celda Fotoeléctrica o Fotovoltaica

• Sensores de Imagen: □ Sensor CCD

□ Sensor CMOS

• Dispositivos generadores de Luz: □ Diodo emisor de Luz (LED)

□ Diodo láser

• Displays LCD

Características de los principales dispositivos

Fotodiodo

Un fotodiodo es un diodo PN construido de modo tal que la luz pueda alcanzar la juntura PN y generar portadores debido al efecto fotoeléctrico. De este modo, se producirá una corriente eléctrica proporcional a la luz incidente.

El símbolo del fotodiodo se ilustra en la Fig. 1. Fig. 1

Al polarizar inversamente el fotodiodo la corriente generada ópticamente puede ser fácilmente detectada, ya que su magnitud es superior a la corriente de fuga inversa del diodo. En este contexto, la corriente de fuga inversa del diodo, que está presente aún en ausencia de luz, se denomina “corriente de oscuridad”.

El material empleado en la fabricación del fotodiodo define sus propiedades de absorción de luz, según se aprecia en la siguiente Tabla:

Material Longitud de onda (nm)

Silicio

190–1100

Germanio

800–1700

Indio galio arsénico (InGaAs)

800–2600

sulfuro de plomo

1000-3500

Diodo PIN

Un diodo PIN es un diodo con una región ancha de semiconductor intrínseco entre las zonas tipo P y tipo N. El diodo PIN obedece la ecuación del diodo de juntura PN solamente para señales muy lentas. A altas frecuencias el diodo PIN se asemeja a un resistor casi ideal, incluso para señales mucho mayores a 28mVpp.

En un diodo PIN la región de vaciamiento se extiende casi exclusivamente dentro de la región intrínseca debido al “efecto de juntura asimétrica”. Esta zona de vaciamiento es además mucho más grande que en un diodo PN y básicamente constante en tamaño, independientemente de la polarización aplicada al diodo. Esto implica que el diodo PIN tiene una mayor área en la cual se pueden generar los pares electrón hueco debido al efecto fotoeléctrico. Por esta razón, y debido a su alta velocidad de respuesta, muchas veces se utilizan fotodetectores PIN para aplicaciones optoelectrónicas.

Fotodiodo de avalancha

Los fotodiodos de avalancha (APD, Avalanche Photodiode) son fotodetectores especialmente diseñados para medir luz de muy baja intensidad. En los APD la luz externa incide en una zona intrínseca, generando portadores libres, al igual que en un fotodiodo PIN. Pero estos portadores son luego acelerados por un campo eléctrico muy intenso, provocando un efecto de “avalancha” debido al cual cada portador original es acelerado y al chocar con la red provoca la creación de nuevos portadores. El voltaje de polarización inversa es típicamente de 100-200 V y la ganancia por efecto de avalancha es del orden 100 veces.

Algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras técnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (>1500V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (>1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia.

Si se requiere una ganancia muy alta (de 105 a 106) algunos APDs pueden operar con una tensión en inversa por encima de la tensión de ruptura. En este caso, el APD necesita tener la corriente limitada y disminuida rápidamente. Los APD que operan en este régimen de ganancia están en “modo Geiger”. Este modo es particularmente útil para la detección de fotones aislados suponiendo que la corriente de oscuridad sea lo suficientemente baja; literalmente, esto implica “contar fotones”.

Debido a su alta sensibilidad (mucho mayor al fotodiodo PIN) y a su elevada velocidad de respuesta, algunas aplicaciones típicas de los APD son el telémetro laser, la telecomunicación de larga distancia por fibra óptica. Sin embargo, el alto costo de los fotodiodos APD es un factor limitante en su uso.

Fototransistor

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar fotodetectores PIN.

Fotoacoplador

Un optoacoplador, es un dispositivo de emisión y recepción de luz que funciona como un interruptor excitado mediante la luz. La luz es emitida por un diodo LED

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