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Transitor Bjt (practica)


Enviado por   •  21 de Mayo de 2014  •  1.369 Palabras (6 Páginas)  •  363 Visitas

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Transistor de union bipolar

El BJT (transistor de union bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por 2 uniones pn (fig1.1 a) .Las tres regiones se llaman emisor, base, colector.Existen 2 tipos de BJT , un tipo se compone de dos regiones n separadas por una region p (npn) (fig1.1 b) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una region n (npn) (fig1.1 c).El termino bipolar se refiere al uso tanto de huecos como electrones como portadores de corriente en la estructura del transistor.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

EL BJT es un dispositivo que tiene dos uniones, una unión entre las zonas de emisor y base y otra unión entre las zonas de base y colector Así, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en función del estado de polarización de las dos uniones.

De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor está trabajando en la zona de saturación. En el caso de que la unión de emisor la polaricemos en directa y la unión de colector en inversa, estaremos en la zona activa.

Operación del Transistor

Un transistor en un circuito estará en una de estas tres condiciones:

En corte (sin corriente de colector), útil para el funcionamiento como interruptor.

En la región activa (algo de corriente de colector, mas de unas pocas décimas de voltio por encima del emisor), útil para aplicaciones de amplificador.

En saturación (el colector unas pocas décimas de voltio por encima del emisor), elevada corriente útil para aplicaciones de "encendido".

Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor está en la zona de corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa.

Unión base emisor Unión base colector Zona de trabajo

Directa Inversa Activa

Directa Directa Saturación

Inversa Inversa Corte

Inversa Directa Activa inversa

Fig. 1.3 Zonas de funcionamiento del transistor BJT

.

Práctica numero 1.1 ( transistor Bc547)

Caracterización del transistor BJT

Analizando el siguiente circuito

Se pretende calcular el valor de la resistencia Rb para que después se compruebe prácticamente la saturación del transistor.

Rc=1kΩ βcd=110 Vcc =12 v Vbb=5v Vce sat=.3 Vbe=.7 v

Ic=(Vcc-Vce sat)/Rc=(12-.3)/1000=11.7mA

IC=IBβcd IB=(11.7x〖10〗^(-3))/110=106.36µA

RB=(Vbb-Vbe)/Ib=(5-.7)/(106.36x〖10〗^(-6) )= 40428.73Ω aproximadamente =39kΩ

Probando en el laboratorio los voltajes y corrientes obtenidos mediante cálculo en el laboratorio metiendo una señal cuadrada pulsante de amplitud de 5 volts (TTL) a la base del transistor y midiendo los voltajes y corrientes correspondientes estos son los datos arrojados por el experimento.

Laboratorio Saturación corte

Ic 11.87mA ~0

Ib

110.13µA 0

Vce

127mV 12

Vbe

700mV 431.87mv

Con lo cual se comprueba que el transistor pasa de la zona de corte y saturación cuando la señal pulsante va cambiando de un estado alto a uno bajo, esto es mejor visto en las corrientes Ic e Ib que en el caso de Ib =0y Ic casi es 0 al igual que el voltaje Vce no sobrepasa el valor de .7 v si así fuera el transistor se polarizaría en inversa y el transistor llegaría a la región lineal

Práctica numero 2-1 (Transistor 2SD1190)

Se procede a conectar al colector del transistor un foco incandescente de 12v de consumo, se procede a caracterizar el foco, suministrándole un voltaje de 12 v y midiendo se resistencia, esta fue de 40 Ω se procede a determinar la resistencia de Rb.

Rc=40Ω βcd=2000 Vcc =12 v Vbb=5v Vce sat=.9 Vbe=2v

Ic=(Vcc-Vce sat)/Rc=(12-.9)/40=277.5mA

IB= IC/βcd=(277.5x〖10〗^(-3))/2000=138.75µA

RB=(Vbb-Vbe)/Ib=(5-2)/(138.75x〖10〗^(-6) )=21 621.Ω Valor comercial =18kΩ

Ya teniendo el valor del la resistencia Rb se procede a realizar las mediciones.

Laboratorio Saturación corte

Ic 255.16mA ~0

Ib

125.13µA 0

Vce

814.16mV 12

Vbe

1.26V 316.8mv

Al realizar el circuito y mandar una señal TTL se observa que cuando entra en saturación el transistor el foco prende y cuando este entra en corte el foco se apaga eso

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