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Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) máximo, marcado C2500 Número de parte (o código de la abreviatura) Lote N º Características indicador Una línea ... Original

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Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones estroboscópica flash Unidad de Aplicaciones Medium-Power Amplificador: mm · Alta Ganancia de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) Absoluto) Clasificación A: 140 a 240, B: 200-330, C: 300 a 450, D: 420-600 Marcado C2500 Número de parte (o ... Original

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Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) Absolute, 600 Marcado C2500 Número de parte (o código de la abreviatura) Lote N º Características indicador A ... Original

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Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5

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