ClubEnsayos.com - Ensayos de Calidad, Tareas y Monografias
Buscar

You Only Live Once

yo__6665 de Octubre de 2014

779 Palabras (4 Páginas)396 Visitas

Página 1 de 4

Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) máximo, marcado C2500 Número de parte (o código de la abreviatura) Lote N º Características indicador Una línea ... Original

ficha técnica

4 páginas,

116.13 Kb 2SC2500 Transistor 2sc2500 C2500 transistor C2500 transistor C2500 B transistor C2500 2SC2500 abstracto

marco de hoja de datos

Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones estroboscópica flash Unidad de Aplicaciones Medium-Power Amplificador: mm · Alta Ganancia de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) Absoluto) Clasificación A: 140 a 240, B: 200-330, C: 300 a 450, D: 420-600 Marcado C2500 Número de parte (o ... Original

ficha técnica

4 páginas,

130.35 Kb transistor 2sc2500 transistor C2500 B transistor C2500 2SC2500 2SC2500 abstracto

marco de hoja de datos

Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) Absolute, 600 Marcado C2500 Número de parte (o código de la abreviatura) Lote N º Características indicador A ... Original

ficha técnica

4 páginas,

116.21 Kb transistor C2500 B transistor 2sc2500 C2500 2SC2500 C2500 transistor 2SC2500 abstracto

marco de hoja de datos

Resumen: 2SC2500 2SC2500 TOSHIBA transistor del silicio NPN Tipo epitaxial (Proceso del PCT) 2SC2500 2SC2500 Aplicaciones flash estroboscópico Aplicaciones Medium-Power Amplifier · Unidad: mm alto aumento actual de CC y excelente linealidad hFE: hFE (1) = 140 al 600 (VCE = 1 V , IC = 0,5 A): hFE (2) = 70 (min), 200 (típico), (VCE = 1 V, IC = 2 A) · Tensión Baja saturación:. VCE (sat) = 0,5 V (max) ( IC = 2 A, IB = 50 mA) Absolute, C2500 Número de parte (o código de la abreviatura) Lote N º Características indicador Nota 4 Nota 4: Una ... Original

ficha técnica

4 páginas,

121,7 Kb 2SC2500 transistor C2500 B C2500 transistor C2500 2SC2500 abstracto

marco de hoja de datos

Resumen: l6703 C2580 ISL6259: AGREGADO BC846BM BC846BM NPN TRANSISTOR (APN 372S0129 372S0129) A MCP T-DIODE CIRCUITO DE SENSOR DE SIMILAR A - CORREGIDO BOM, Original

ficha técnica

77 páginas,

1353.63 Kb transistor C9726 C2570 transistor de potencia c3114 transistor C2555 transistor c2562, transistor función del transistor c2570 c2570 transistor C3150 transistor transistor C2581 C3227 transistor transistor c6074 ISL6258AHRTZ ficha resumen

marco de hoja de datos

Resumen: EMF2177IB C2458 c3998 transistor EMZ9371Bb transistor c2458 Ä.ù} ... Original

ficha técnica

394 páginas,

3176.76 Kb EMZ9371BC Profibus EMF2177IB lenze d-31855 EMZ9371BC Manual 31855 D- LENZE diagnósticos de fallo RSP int 1 EMF2102IB-V001 LECOM-A / B LENZE 9300 parámetros del inversor LENZE 510 controladores dc LENZE 8.200 parámetros vectoriales LENZE 8200 lista de parámetros lenze d-31855 manual de EDBCSXS064 EDBCSXS064 abstractos

...

Descargar como (para miembros actualizados) txt (5 Kb)
Leer 3 páginas más »
Disponible sólo en Clubensayos.com