TEORIA Y APLICACIÓN DE LA ELECTRONICA INDUSTRIAL ANALOGICA
Enviado por brendapp27 • 15 de Mayo de 2014 • 2.584 Palabras (11 Páginas) • 397 Visitas
TEORIA Y APLICACIÓN DE LA ELECTRONICA INDUSTRIAL ANALOGICA
Definición 1:
Expone los principales componentes electrónicos tanto activos como pasivos, su integración en circuitos y sus diferentes aplicaciones, obteniendo una visión de la amplia gama de posibilidades que ofrece.
AUTOR: PAUL E. TIPPENS
Definición 2:
Es una parte muy extensa de la electrónica y comprende todos los procesos industriales, desde la instrumentación hasta la robótica. Está relacionada con el resto de ramas de la electrónica, por ejemplo, con la Electro medicina o el láser, de gran evolución en los últimos años.
AUTOR: FRANCISCO RUIZ VASSALLO
Definición 3:
La electrónica analógica (a veces también electrónica análoga, por influencia del inglés) es una rama de la electrónica que estudia los sistemas cuyas variables (tensión, corriente, etcétera) varían de una forma continua en el tiempo y pueden tomar (al menos teóricamente) valores infinitos. En contraposición, en la electrónica digital las variables solo pueden tomar valores discretos y tienen siempre un estado perfectamente definido.
AUTOR: VICTOR L. STREETER
En la imagen se muestra ciertas cosas que se utilizan en la electrónica analítica
OPERACIÓN DEL DIODO
Definición 1:
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
AUTOR: FRANCISCO RUIZ VASSALLO
Definición 2:
Los diodos al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule.
AUTOR: VICTOR L. STREETER
Definición 3:
Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar prácticamente en cualquier circuito electrónico. Constan de la unión de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
AUTOR: PAUL E. TIPPENS
OPERACIÓN DEL DIODO EMISOR DE LUZ
Definición 1:
Es la abreviatura en lengua inglesa para Light Emitting Diode, que en su traducción al español correspondería a Diodo Emisor de Luz. (LED)
AUTOR: PAUL E. TIPPENS
Definición 2:
Un LED consiste en un dispositivo que en su interior contiene un material semiconductor que al aplicarle una pequeña corriente eléctrica produce luz. La luz emitida por este dispositivo es de un determinado color que no produce calor, por lo tanto, no se presenta aumento de temperatura como si ocurre con muchos de los dispositivos comunes emisores de luz.
AUTOR: VICTOR L. STREETER
Definición 3:
También conocido como led emite un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de manera directa en unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica.
AUTOR: FRANCISCO RUIZ VASSALLO
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BJT Y FET
Definición 1:
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
AUTOR: PAUL E. TIPPENS
Definición 2:
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
AUTOR: VICTOR L. STREETER
Definición 3:
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
AUTOR: FRANCISCO RUIZ VASSALLO
OPERACIÓN DEL SCR
Definición 1:
Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes más bien altas para una carga.
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