Mantenimiento

Memoria

Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tiene la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentra.

Términos básicos que se manejan cuando se trabaja con memorias.

Unidad mínima de acceso.: Ancho de la palabra de memoria.

Tamaño de la palabra de memoria, coincide con el número de bits del bus de datos del chip de memoria.

Celda de memoria.: Corresponde a un bit de la memoria.

Capacidad de una memoria.: Cantidad de información que la memoria puede almacenar. Viene determinado por el tamaño del bus de direcciones (AB) y del de datos (DB) según la fórmula Capacidad = 2AB · DB bits. Es decir, la memoria está formada por 2AB posiciones de DB bits cada una de ellas.

Estructura básica

Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en tecnología bipolar como

MOS. …………………………………………………………………………………..

Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como característica principal, subdividiéndolas en la forma de almacenamiento y por último en la tecnología empleada.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM)

Usualmente se reserva el término RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas. Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el término ROM o RPROM étc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una información sobre ella.

ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM

Diagrama de bloques de una memoria semiconductora

CLASIFICACION DE LAS MEMORIA

Pueden clasificarse según:

Tipo de acceso a la memoria para obtener o modificar la información almacenada

Persistencia de la información almacenada

Principio de funcionamiento

Tipo de tecnología usada para la fabricación

Tipo de utilización

Según el TIPO DE ACCESO:

SAM (Sequential Access Memory: memoria de acceso secuencial)

El tiempo requerido para acceder a la información depende de la ubicación de la información dentro de la memoria, ya que el acceso se debe realizar en un orden determinado. (Ej: registro de desplazamiento, cinta magnética)

RAM (Randon Access Memory: memoria de acceso directo al azar). El tiempo de acceso es independiente de la ubicación de la información de la memoria. Cada celda de memoria se distingue por una DIRECCIÓN.

CAM (Contents Adressable Memory: memorias asociativas). La información almacenada se obtiene por comparación entre el contenido de la memoria y una palabra binaria presentada a la entrada del dispositivo.

Según PERSISTENCIA de la información:

Referidos a la Tensión de Alimentación

PERENNES: la información almacenada no se pierde cuando se corta la alimentación.

VOLÁTILES: la interrupción de la alimentación produce la pérdida de información.

Persistencia de la información tras la lectura

Lectura DESTRUCTIVA: (memorias de núcleo magnético): deben rescribirse luego de leerse.

Lectura NO DESTRUCTIVA: (memorias semiconductoras)

Según Principio de FUNCIONAMIENTO:

ESTÁTICA: elemento biestable que puede mantenerse en uno de sus dos estados estables durante todo el tiempo que esté alimentado (Disipa potencia en forma constante)

DINÁMICA: la información se almacena como carga eléctrica en una capacidad. La degradación que se produce se compensa por medio de CICLOS DE REFRESCO (a intervalos regulares). Sólo disipa potencia durante el momento de acceso (lectura/ escritura) o del refresco. Ocupan menos espacio que las estáticas.

Según TIPO DE TECNOLOGÍA USADA:

BIPOLARES:

No pueden ser dinámicas (no tienen la capacidad parásita requerida)

No muy alta capacidad (celda básica de gran tamaño y alta disipación de

potencia).

Muy rápidas.

MOS: (Metal Oxide Semiconductor)

Constituidas por FET’S. Pueden ser dinámicas

Más lentas que las bipolares

Poca disipación de potencia

CCD (Charge Coupled Device)

Integra elementos estructurales en forma de registros de desplazamiento. Principio de funcionamiento: almacenar una carga (constituida por portadores minoritarios) en un “ pozo” de potencial, produciendo luego el desplazamiento de esos portadores minoritarios por medio del movimiento de los “ pozos”.

DE BURBUJA MAGNÉTICA:

Memoria semiconductora que guarda bits en la forma de pequeñas burbujas magnéticas que están sobre una película muy delgada de material magnético. La presencia o ausencia de una burbuja en determinada posición se interpreta como 1 o 0 respectivamente. Para mover la burbuja dentro de los lazos que están dentro del material magnético, se emplean campos magnéticos que cambian de manera continua.

Según

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