Pautas para presentacion de informe de electronica

PAUTAS PARA PRESENTACION DE INFORMES DE LABORATORIO

Los informes de Laboratorio no deben exceder de 10 páginas, presentarse a máquina (PC) y en forma general contener la siguiente información:

1. Objetivos.
2. Justificación.
3. Marco teórico básico sobre el tema a desarrollar en la práctica.
4. Elementos, materiales y equipos.
5. Desarrollo analítico: Resultados teóricos.
6. Procedimiento: Desarrollo de la práctica y resultados medidos.
7. Análisis de resultados: Comparación de resultados teóricos y prácticos, solución a

 Cuestionario si lo hay.

1. Conclusiones.
2. Bibliografía.

NOTAS:

1. Se deben entregar una semana después de realizar la práctica.

1. Porcentaje correspondiente a cada actividad de laboratorio:

      ACTIVIDAD                                   PORCENTAJE

Documento previo                                        30%

Copia del documento previo para el grupo           5%

Práctica                                                40%

Informe                                                25%

TOTAL                                                          100%

La información contenida en el documento previo no se debe repetir en el informe y disponer de una copia para comparar los valores medidos con los valores teóricos.

1. Llevar el documento escrito a máquina donde van a escribir los resultados de las mediciones realizadas, esto corresponde al documento posterior a la práctica.

1. Los documentos en los cuales presentan las actividades previa y final de la práctica se deben encabezar escribiendo el nombre de la Universidad, el nombre del programa, el nombre del curso, el número y nombre de la práctica, los nombres de los estudiantes con su código y la fecha.

1. Estudiante que no asista a la práctica no se debe incluir en el informe.

1. Estudiante que no colabore en la elaboración del informe no están obligados a incluirlo en el informe.

[pic 1]

[pic 2]

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO ELECTRÓNICA I

PRACTICA No. 1

CARACTERÍSTICA I – V DEL DIODO DE UNION

EQUIPO REQUERIDO

• Instrumentos :  Multímetro digital (DMM).

• Componentes :  Dos resistores de 1 KΩ y dos de 1 MΩ a 0.5 W y 5%; dos diodos de silicio 1N4004 y dos de germanio 1N60 o equivalente.

• Fuente DC.
• 1 cautín.

PROCEDIMIENTO

1.  Prueba del Diodo

Ejecute esta prueba al diodo de silicio y de germanio usando la función prueba de diodo del multímetro y escriba los resultados en la tabla 1.

                       Tabla 1.

Basado en los resultados de las mediciones diga cuál es el estado de los diodos.

2.  Características I-V de los diodos polarizados en directo

En esta parte del experimento se obtendrán suficientes datos para graficar las características de los diodos de Si y Ge polarizados en directo.[pic 3]

1. Implemente el circuito de la figura 1. con la fuente DC ajustada en 0V.  Mida el resistor y escriba su valor en el diagrama del circuito.

Figura 1.

1. Incremente el voltaje de la fuente hasta que en VR se lean los voltajes indicados en la tabla 2, luego mida VD y calcule ID y escríbalos en dicha tabla.

Tabla 2. (Si)

1. Reemplace el diodo de silicio por el del germanio y repita el paso b).  Escriba los resultados en la tabla 3.

Tabla 3. (Ge)

1. Grafique ID versus VD en la figura 2. para los diodos de silicio y de germanio, iniciando las gráficas en el origen del sistema.  Identifique cada curva e indique claramente en ellas los puntos de la tabla usados para obtener la curva.  Sea muy cuidadoso en la ubicación de dichos puntos.
2. Explique las similitudes y las diferencias entre estas curvas.

[pic 4]

Figura 2.

[pic 5]

3.  Polarización en inverso

1. Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y escriba su valor en el diagrama del circuito.  Debido a que la corriente de saturación inversa es muy pequeña, es necesario usar la resistencia de 1 MΩ para que el voltaje medido a través de ella tenga una magnitud mensurable.

Figura 3.

1. Mida el voltaje VR.  Calcule la corriente de saturación inversa usando la fórmula : [pic 6].  Rm es la resistencia interna del multímetro y se debe tener en cuenta debido al gran valor de la resistencia R. Si no conoce ese dato use típicamente el valor de 10 MΩ.  Escriba los resultados en la tabla 4.
2. Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma tabla.

                       Tabla 4.

1. Compare los resultados de IS y explique sus diferencias.
2. Determine la magnitud de la resistencia DC (RD) para los dos diodos y escriba los resultados en la tabla anterior.
3. Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como un circuito abierto si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor esté en un rango bajo de KΩ.

4.  Resistencia Estática (RD) 

1. Usando la curva del diodo de silicio de la figura 2. determine el VD correspondiente a los niveles de corriente indicados en la tabla 5.  Luego determine RD para cada nivel de corriente y escríbalos en dicha tabla. Escriba cómo realiza estos cálculos.

                       Tabla 5.

1. Cuál es la tendencia de RD para el diodo cuando la corriente aumenta y el punto de operación del diodo se mueve hacia la sección de crecimiento vertical de la característica.  Explique este comportamiento.

5.  Resistencia Dinámica (rd)

1. Con la ecuación respectiva determine rd para el diodo de silicio alrededor de ID = 9 mA usando la curva de la figura 2. Escriba el procedimiento para realizar esta labor.
2.  Determine la resistencia dinámica para esa misma corriente usando la ecuación obtenida por cálculo a partir de la ecuación de corriente del diodo.

Compare los resultados de a) y b) y explique la diferencia.

1. Repita los pasos a) y b) para ID = 2 mA.

Compare estos resultados y explique la diferencia.

Los resultados anteriores escríbalos en la tabla 6.

                       Tabla 6.

6.  Voltaje Umbral (VT)

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