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Transistores

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Documentos 201 - 250 de 330

  • PUENTE H CON TRANSISTORES MOSFET

    CUERVUMPUENTE H CON TRANSISTORES MOSFET DIEGO ALEJANDRO PEREZ COGUA Cód. 1118542542 LUIS ALBERTO CASTAÑEDA RINCON Cód. 1118537432 Presentado a: Ing. Julio César Ospino Arias UNIVERSIDAD DE PAMPLONA FACULTAD DE INGENIERÍAS Y ARQUITECTURA ELECTRÓNICA DE POTENCIA PAMPLONA 2011 INTRODUCCIÓN El propósito de un puente H, es entregar la máxima potencia para

  • Diseño con transistores Resumen

    Diseño con transistores Resumen

    Hosiel PJTecnológico de Estudios Superiores de Ixtapaluca División de Ingeniería Electrónica Prácticas de Laboratorio de la Materia de Diodos y Transistores Práctica 1: PIC16F84A Pérez De Jesús Hosiel Rogelio Manuel Higuera González (Profesor) Microcontroladores Ingeniería en electrónica Grupo 3601 Resumen En la práctica se muestra el uso que se le da

  • Transistores bipolares PNP y NPN

    Ya hemos estudiado el principio de funcionamiento de los transistores bipolares PNP y NPN, sin embargo debemos ahora repasar algunas de sus propiedades, las cuales son muy diferentes a las de los transistores de efecto de campo, comunmente conocidos como FETs. El transistor bipolar, el cual está compuesto por 3

  • Polarización del transistor BJT

    Polarización del transistor BJT

    holasoyestefaniRepública Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular para la Educación Instituto Universitario Politécnico Santiago Mariño Extensión Porlamar POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT Prof. Omer Chirinos Alumno. Electrónica I Estefanía Gil CI 27.525.552 Ing. Electrónica #44 Aplicamos Teorema de Thévenin R2 VTH = VCC. -----------------------; R1 + R2 6K VTH =

  • Practica Transistores,fes Aragon

    elyonomanUNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES ARAGÓN LABORATORIO DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL PROFESOR PINEDA DÍAZ MARGARITO PRACTICA 6 TRANSISTORES ALUMNOS: Un transistor (la contracción de transfer resistor, transferencia de resistencia) es un dispositivo semiconductor con tres terminales utilizado como amplificador e interruptor en el que una pequeña corriente

  • Transistor Uniunión Programable

    metsofter2INTRODUCCION PUT: Transistor Uniunión Programable No es un UJT (transistor uniunión) El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: cátodo K,

  • “LAYOUT DE TRANSISTORES MOS”

    “LAYOUT DE TRANSISTORES MOS”

    Hans Junior Puente JaraUniversidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Laboratorio N°1 “LAYOUT DE TRANSISTORES MOS” Docente: Alarcón Matutti, Rubén Virgilio Estudiante: Puente Jara, Hans Junior Curso: Sistemas Microelectrónicos Integrados 2021-2 Transistor N-MOS 1. Revisar el modelo teórico de spice shichman hodges (nivel 1), identifique el tipo de transistor, los

  • Practica de diodos y transistores

    Practica de diodos y transistores

    Paula MonroyUNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL VALLE DE MÉXICO (UPVM) FUNDAMENTOS DE LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA Alumna: Acevedo Quero Isis Aida Matricula:1318232490 Grupo: 870501 Profesor: Fernando Pérez Díaz No. practica: 1 Practica: Diodos y transistores UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL VALLE DE MÉXICO (UPVM) FUNDAMENTOS DE LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA Alumna: Monroy Rivera Ana Paula Matricula: 1318232334

  • BJT Transistor De Unión Bipolar.

    11llBJT Transistor de unión bipolar. ¿Qué es un BJT? Es un dispositivo de tres regiones las cuales son Emisor, Base y Colector. El emisor es el encargado de emitir los electrones generados en la unión PN Base-Emisor. El colector es el encargado de recoger los electrones generados por el emisor.

  • Practica de revelador y transistor

    Practica de revelador y transistor

    Emmmmmmmanuel________________ Objetivo: Encender un foco conectándolo a un circuito y en el cual hay un relevador, un transistor, resistencias y un botón. Material: * 1 transistor * 1 relevador * 3 potenciómetros (10 y 5 y 1 KΩ) * 1 clavija con fusible Marco teórico: Relevador: El relé (en francés

  • POLARIZACION DE TRANSISTOR BIPOLAR

    tanoroldanUNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA LABORATORIO ELECTRÓNICA I PRACTICA No. 4 CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR Nombres: Giovanny plazas Lozano. Código: 20122111899 Jean Carlos Roldan Lozano. Código: 20122113131 OBJETIVOS: Conocer el funcionamiento de un transistor npn en la región activa. Analizar el comportamiento de β y de α en un

  • Regiones Operativas Del Transistor

    alexzaikRegiones operativas del transistor Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: • Región activa: corriente del emisor = (β + 1)•Ib ; corriente del colector= β•Ib Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en

  • POLARIZACION DE TRANSISTOR BIPOLAR

    krloozGASUNTO: PRACTICA No. 6 "POLARIZACION DE TRANSISTOR BIPOLAR " PROFESOR :JESUS REYES AQUINO NOMBRE DEL ALUMNO: SOLIS GARCÍA DANIEL MATERIA: DISPOSITIVOS GRUPO: 5CV6 "Polarización, regiones de operación y circuitos reguladores con transistores bipolares" Objetivos: 1. Medir los voltajes y corrientes (punto de operación) del circuito de polarización independientemente de la

  • Transistores de Efecto de Campo FET

    Transistores de Efecto de Campo FET

    jesica1976DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD Lee atentamente la información que se presenta. Analízala de acuerdo con los contenidos revisados en la semana y desarrolla la actividad evaluativa. Para un proyecto universitario se necesita fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo cual el profesor a cargo del proyecto te ha pedido

  • Introducción al transistor bipolar

    churrito1431.1 Introducción al transistor bipolar 1.1.1 Historia El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en los laboratorios Bell de EE. UU. Por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley, quienes fueron galardonados con el premio Nobel de física en 1956. Fue el sustituto de

  • Transistor de Efecto de Campo (FET)

    iHareZTransistor de Efecto de Campo (FET) Definición El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de

  • POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

    OscarQ13UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA LABORATORIO ELECTRÓNICA I PRACTICA No. 4 POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR Andrés Gómez Repizo Cod.20122111936 Julián David Vargas Calderón Cod.20122113751 OBJETIVOS • Recordar la prueba de transistores con el multímetro. • Medir los parámetros involucrados con el transistor bipolar trabajando en conmutación tanto en la

  • TRANSISTORES EN CONFIGURACION ESPEJO

    epn24TRANSISTORES EN CONFIGURACION DE ESPEJO A esta configuración de transistores se la conoce como ESPEJO DE CORRIENTE. Un Espejo de Corriente es una configuración con la que se pretende obtener una corriente constante, es decir, una fuente de corriente cuyo valor es un reflejo de la corriente que pasa por

  • Curva Característica Del Transistor

    hamat006Curvas características Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones: Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

  • INFORMACION DEL TRANSISTOR PNP Y NPN

    santos101287INFORMACION IMPORTANTE SOBRE EL TRANSISTOR PNP Y NPN El Transistor Función Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para amplificar la pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente. Un

  • Transistor, corriente, resistencias.

    Transistor, corriente, resistencias.

    Inda Barriga________________ https://scontent-dfw1-1.xx.fbcdn.net/hphotos-xta1/v/t1.0-9/11222061_1714357345465612_932874673220216236_n.jpg?oh=9212b15289c7c1c5a7b75c7b46884b1b&oe=56C83A26 C:\Documents and Settings\LETY\Mis documentos\Mis imágenes\logo_footer.png LOGO TEC snit logo Introducción En este reporte mostraremos los pasos que seguimos para realizar la práctica de circuito de espejo de corriente el cual es la reflexión o espejo de una corriente constante desarrollado en un lado del circuito. Palabras clave: Transistor,

  • Diseño con transistores Practica #1

    daniel_moonInstituto Tecnológico de Culiacán http://itculiacan.edu.mx/wp-content/plugins/website-logo/images/LOGO_TEC_PNG_OK.png Materia: Diseño con transistores Practica #1 Profesor: M.C. Jesús R. Villareal Salazar Integrantes del equipo: Angulo Flores Jaime Eduardo Armenta Luna Daniel Alejandro Camacho Torres José Daniel Cebreros Torres Jesús Roberto Fecha de entrega: 04/02/16 Introducción Con esta práctica buscamos aplicar los conocimientos adquiridos a

  • ELECTRONICA DE POTENCIA. Transistores

    ELECTRONICA DE POTENCIA. Transistores

    Hector Sanchez ParedesINSTITUTO TECNOLÓGICO DE CUAUTLA LICENCIATURA: Ingeniería en Mecatrónica GRUPO: 6 J11 Asignatura: ELECTRONICA DE POTENCIA Tarea: P2- Transistores de potencia. PROFESOR: ING: Jesús Adolfo Jiménez Ramos PRESENTA: Héctor D. Sánchez Paredes José Juan Vázquez Diaz Jesús F. Flores Limas Cristian N. Ávila Morales OBJETIVO: Los transistores son elementos muy versátiles.

  • CURVA CARACTERÍSTICA DE UN TRANSISTOR

    CURVA CARACTERÍSTICA DE UN TRANSISTOR

    opp0517Curvas características de los transistores CURVA CARACTERÍSTICA DE UN TRANSISTOR TRANSISTOR ´S CHARACTERISTIC CURVE Beleño Molina Daniel A.a, Manotas Cantillo Andrés F.b, Ripoll Sierra Hankel A. c, Utria Rincón Luis A. d, Álvarez Navarro Juan C. e a,b,c,d Estudiantes, eDocente Recibido ; Aceptado ; Publicado en línea . Resumen Esta

  • JFET(Junction Field Effect Transistor)

    JFET(Junction Field Effect Transistor)

    Danny GuagalangoJFET(Junction Field Effect Transistor) Resumen—En este documento se explica de manera concisa, el funcionamiento, polarizacio´n, el circuito equivalente, las configu- raciones en compuerta comu´n y drenaje comu´n de los transistores de juntura de efecto de campo o JFET. 1. ¿QUE´ ES EL JFET? El FET es un dispositivo de tres

  • Transistores BJT en AC Práctica Nª 3

    Transistores BJT en AC Práctica Nª 3

    christian quitioUNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRONICA INDUSTRIAL Fecha: 14/06/2022 fecha de realización la practica 3 TRANSISTORES BJT EN AC Práctica Nª 3 QUITIO COYAGO JONATHAN CHRISTIAN Jquitioc1@est.ups.edu.ec Integrante 2 (Arial, 11 Pts, centrado) e-mail: integrante2@institución (quitar hipervínculo) RESUMEN: En este documento se condensan los datos calculados y simulados sobre la

  • Electrónica I . El Transistor Bipolar

    Electrónica I . El Transistor Bipolar

    xOmniviumRepública Bolivariana de Venezuela http://www.el.bqto.unexpo.edu.ve/imgs/logo.jpg Ministerio del Poder Popular para la Educación Superior Universidad Nacional Experimental Politécnica “Antonio José de Sucre” Profesor: Integrantes: Miguel Ovalles Jesús Bisval. Exp: 2014100185 Electrónica I Yhorman Avariano. Exp: 2013200208 Introducción Durante el desarrollo de este informe hablaremos sobre uno de los dispositivos que ha

  • Circuito amplificador con transistores

    osejCircuito amplificador con transistores Descripción: El circuito amplificador de audio esta conformado por dos estapas de audio compuestas por transistores. En la entrada de señal se puede conectar un micrófono y en la salida un parlante. Circuito oscilador con transistores Este circuito es una típica y sencilla configuración de un

  • Transistor JFET respuesta en frecuencia

    Transistor JFET respuesta en frecuencia

    sacbix123Electrónica II Actividad #3, ponderación 5% Datos : hfe = 100 ; fT = 1000 MHz ; = 3 pF , ; VBE = 0.7 V a) Determine analíticamente la respuesta en frecuencia de los circuitos amplificadores , es decir, calcular la respuesta en baja frecuencia y la respuesta en

  • Practica #9 Transistores Electrónica I

    Practica #9 Transistores Electrónica I

    Alan PinalesPractica #9 Transistores Electrónica I GUÍA DE PUNTAJE (Reportes de Prácticas) M. en C. Francisco Javier Enríquez Aguilera al167950@alumnos.uacj.mx , al169665@alumnos.uacj.mx Eduardo Tellez Cruz 167950 Mauricio Alan Pinales Jiménez 169665 Actividad a Evaluar Puntaje máximo (Puntos) Puntaje obtenido (Puntos) Puntaje obtenido por Criterio Introducción 10 Desarrollo 20 Resultados 20 Objetivo

  • Polarización de transistores BJT y FET

    Polarización de transistores BJT y FET

    Andres Aguilar GarciaINFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Periodo 2017-2 DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA MECATRÓNICA [1] Polarización de transistores BJT y FET Camargo Felipe y Suarez Daniel {u18028951 y u1802953}@unimilitar.edu.co Resumen— Durante la práctica se realizaron montajes con el fin de utilizar conocimientos previos en la elaboración y montaje de diferentes amplificadores y utilidades

  • CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES MOSFET

    CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES MOSFET

    César Jesús Canchanya Avila1. Graficar los diferentes símbolos para cada miembro de la familia de los transistores MOSFET CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES MOSFET Los transistores MOSFET se pueden clasificar en 2 tipos, de enriquecimiento y de empobrecimiento. Dentro de ellos se subdividen en canal “n” y “p”. En los MOSFET de enriquecimientos el

  • Caracteristicas De Un Transistor Nte 538

    alejocristy24Input-to-output peak voltage (8-ms half sine wave). . . . . . . . . . . . . . . . . . 4N35 3.55 kV Entrada y salida del voltaje (8ms media onda sinusoidal) 4N35 3.55 kV Input-to-output root-mean-square voltage (8-ms half sine wave) . . . .

  • TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. RESUMEN

    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. RESUMEN

    Steve AlexanderTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO RESUMEN El transistor de efecto de campo, es un tipo de semiconductor el cual basa su funcionamiento en una estructura de juntura unipolar, es decir a diferencia de un transistor TBJ, este nuevo tipo de transistores basa su estructura en un unión entre dos capas,

  • UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

    UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

    Miguel Martinez De La CruzFÍSICA DE SEMICONDUCTORES UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE 1.-Explicar el principio de operación de JFET a partir de su construcción y polarización. Principio de operación a partir de su construcción. Este transistor de efecto de juntura su principio de funcionamiento se basa en el efecto

  • Puente H-uso de los transistores y diodos

    Puente H-uso de los transistores y diodos

    Jasson Solana MazariegosPuente H. Alexandro Daniel Itzep López, Jasson Solana Mazariegos Universidad Autónoma del Carmen. Facultad de Ingeniería. RESUMEN: En esta práctica haremos uso de lo que se ha estado viendo en la asignatura de Dispositivos Electrónicos durante este semestre, utilizaremos transistores y diodos para dejar un poco más claro el uso

  • Multivibrador Astable Con Transistores PWM

    waldana00Multivibrador Astable con Transistores En electrónica, un astable es un multivibrador que no tiene ningún estado estable, lo que significa que posee dos estados "quasi-estables" entre los que conmuta, permaneciendo en cada uno de ellos un tiempo determinado. La frecuencia de conmutación depende, en general, de la carga y descarga

  • Los transistores bipolares de unión (TBJ)

    Los transistores bipolares de unión (TBJ)

    Adrian Monreal AldrighettiCuestionario Previo 1: 1. Describir las formas de polarización del TBJ Los transistores bipolares de unión (TBJ), también conocidos como transistores bipolares, se pueden polarizar de varias formas para operar en diferentes regiones de su característica de salida. Aquí tienes tres formas comunes de polarización de un transistor BJT: Polarización

  • Construcción y operación de transistores

    leac1981CONSTRUCCIÓN Y OPERACIÓN DE TRANSISTORES. El transistor está compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura: Figura Uniones en El Transistor. La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la

  • Configuraciones Compuestas De Transistores

    sevagocCONFIGURACIÓN CASCODE: La configuración cascode está constituida por dos transistores, uno en emisor común, seguido de otro en base común, donde la conexión a masa que une el emisor del primer transistor con la base del segundo, esta configuración es muy adecuada para su utilización como elemento de baja realimentación

  • AMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES BJT

    marianvarelaAMPLIFICADOR DE AUDIO CON TRANSISTORES BJT Se considera como amplificador a todo dispositivo que, mediante la utilización de energía, magnifica la amplitud de un fenómeno. Aunque el término se aplica principalmente al ámbito de los amplificadores electrónicos, también existen otros tipos de amplificadores, como los mecánicos, neumáticos, en las mayorías

  • PRACTICA No 5 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

    DanielWhoPRACTICA No 5 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR OBJETIVO GENERAL Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones depolarización para transistores BJT. OBJETIVO PARTICULAR • Para el circuito de Polarización Fija, determinar las respuestas de las variables enla polarización del transistor. • Para los circuitos de Polarización Estabilizada por Divisor y Polarización

  • El transistor BJT. Electrónica I. Semana 2

    El transistor BJT. Electrónica I. Semana 2

    Miguel AngelDESARROLLO 1) La tabla 1 muestra los símbolos de los transistores PNP y NPN. En cada caso, explique en qué dirección fluyen las corrientes de base y de colector una vez polarizados los mismos (3 puntos). Transistor BJT Dirección de las corrientes NPN (No Penetra N) = Tensión positiva del

  • Practica 8 Circuitos con transistor bipolar

    Practica 8 Circuitos con transistor bipolar

    BigotinComponentes Electrónicos y Medidas Práctica 8. Circuitos con transistor bipolar. PRÁCTICA 8 Circuitos con transistor bipolar En esta práctica vamos a continuar familiarizándonos con el transistor bipolar y los posibles circuitos que se pueden realizar con él. Para ello veremos tres aplicaciones: el seguidor de emisor y su utilidad como

  • Aplicación De Transistores en Combinación.

    Johnathan S. BydC:\Users\cdiaz.UPS\Desktop\logos ups-ius-ieee.jpg CARRERA: INGENIERIA ELECTRICA PRÁCTICA 11: Aplicación De Transistores en Combinación EQUIPO: Laboratorio de Analógica 1 Responsable /Equipo: Accesorios: Proto board, transitores, resistencias, fuente vcc. CÁTEDRA O MATERIA RELACIONADA Ingenieria Electrica REVISIÓN N°: 1 EDICIÓN: 11 LABORATORIO DE ANALOGICA 1. DOCENTE: NÚMERO DE ESTUDIANTES POR EQUIPO O PRÁCTICA: 2

  • Título de la práctica: "Transistor MOSFET"

    Título de la práctica: "Transistor MOSFET"

    REYES GARCIA EDUARDO ALEJANDROImagen que contiene dibujo Descripción generada automáticamente Instituto Politécnico Nacional Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas Imagen que contiene Cuadrado Descripción generada automáticamente Electrónica de potencia Práctica No. 5. Título de la práctica: "Transistor MOSFET" Alumno: Reyes García Eduardo Alejandro Grupo: 4MM2 Fecha: 13/05/2022 Transistores seleccionados. Para llevar

  • Componentes de la electrónica EL TRANSISTOR

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    kamilajaelUNIVERSIDAD TÉCNICA LUIS VARGAS TORRES DE ESMERALDAS SEDE SANTO DOMINGO DE LOS TSÁCHILAS – LA CONCORDIA PERIODO ACADÉMICO: 2022 – IS UNIVERSIDAD LUIS VARGAS TORRES LOGO UNIVERSIDAD TÉCNICA “LUIS VARGAS TORRES” DE ESMERALDAS SEDE SANTO DOMINGO DE LOS TSÁCHILAS – LA CONCORDIA PERIODO ACADÉMICO: 2022 – IS Componentes de la

  • Transistor de efecto de campo de unión JFET

    Transistor de efecto de campo de unión JFET

    Jaret López SánchezINSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL Unidad Profesional Interdisciplinaria de Ingenierías y Tecnologías Avanzadas Investogación Transistor de efecto de campo de unión JFET Prof. Sergio Garduza González Alumno: Jaret López Sánchez Grupo 1MV6 Objetivos: Identificará el símbolo, modelo y principales circuitos de polarización del Transistor de efecto de campo. Antecedentes: Esta actividad es

  • DISEÑO CON TRANSISTORES - CIRCUITO RESUELTO

    DISEÑO CON TRANSISTORES - CIRCUITO RESUELTO

    jerubiCuestionario Unidad 2 1. ¿Qué es un optoacoplador? R= Un optoacoplador o también conocido como optoaislador es un interruptor que es activado mediante una luz infrarroja emitida por un diodo led hacia un fototransistor o cualquier otro dispositivo capaz de detectar los infrarrojos. 2. ¿Cómo está compuesto un optoacoplador? R=

  • Transistores: zona de corte y saturación BJT

    Transistores: zona de corte y saturación BJT

    shesly coloradoFirst Author et al.: Title 9 [1] Transistores: zona de corte y saturación BJT Shesly Nicole Colorado 5600756, Julián David Castaño Portilla 5600554 1. Introducción E l propósito de esta guía de laboratorio es explorar y analizar los modos de corte y saturación en transistores BJT. A través de la

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