Transistores ensayos gratis y trabajos
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Polarización de transistores BJT y FET
INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Periodo 2017-2 DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA MECATRÓNICA [1] Polarización de transistores BJT y FET Camargo Felipe y Suarez Daniel {u18028951 y u1802953}@unimilitar.edu.co Resumen— Durante la práctica se realizaron montajes con el fin de utilizar conocimientos previos en la elaboración y montaje de diferentes amplificadores y utilidades de los mismos utilizando transistores BJT y FET, durante la practica También se llevó a cabo la elaboración de una tarjeta de relevos que se
Enviado por Andres Aguilar Garcia / 546 Palabras / 3 Páginas -
TRANSISTORES BIPOLARES BJT
C:\Users\dupre_000\Downloads\Sin título-1-01.jpg 1. 2. 3. 1. TRANSISTORES BIPOLARES BJT. 2. NOMBRE: CARRERA: AUTOMATIZACION Y CONTROL INDUSTRIAL ASIGNATURA: PROFESOR: FECHA: 11-05-2017 ________________ Introducción. Los transistores de unión bipolares o BJT, corresponden a dispositivos de estado sólido, los cuales poseen tres terminales y que se emplean como núcleos de circuitos de conmutación y en el procesado de señales, en este caso en circuitos de amplificación. El transistor en los últimos años, se ha convertido en uno de
Enviado por rodrigo9250 / 1.502 Palabras / 7 Páginas -
APLICACIONES DE TRANSISTOR
BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTONÓMA DE PUEBLA FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS JULIA CHAVEZ CHAVEZ NÚMERO DE LA PRÁCTICA: 2 “APLICACIONES DEL DIODO EN AC: RECORTADORES DE SEÑAL, CAMBIADORES DE NIVEL Y MULTIPLICADORES DE VOLTAJE” NOMBRE DE LOS INTEGRANTES DEL EQUIPO: -MICHELLE GUERRA MARIN -CRISTOPHER MANUEL RIVAS AGUILAR -MARCOS DAVID PÉREZ QUINTO -PEDRO ANTONIO PÉREZ SALAZAR -JAEL NICOLÁS MEZA GARCIA FECHA DE ENTREGA DEL REPORTE JUEVES 20 DE AGOSTO DEL 2018 PERIODO EN EL
Enviado por MICHEL GUERRA / 745 Palabras / 3 Páginas -
JFET(Junction Field Effect Transistor)
JFET(Junction Field Effect Transistor) Resumen—En este documento se explica de manera concisa, el funcionamiento, polarizacio´n, el circuito equivalente, las configu- raciones en compuerta comu´n y drenaje comu´n de los transistores de juntura de efecto de campo o JFET. 1. ¿QUE´ ES EL JFET? El FET es un dispositivo de tres terminales que se usa en varias aplicaciones que coinciden en algunos aspectos con los BJT. Los transistores de efecto campo son, como los bipolares, elementos
Enviado por Danny Guagalango / 725 Palabras / 3 Páginas -
“Transistor y relevador como etapa de potencia”
Práctica #7 “Transistor y relevador como etapa de potencia” Electrónica Analógica Ingeniería en Mecatrónica, Instituto Tecnológico de Apizaco Integrante 1: Luis David Díaz Hernández, Integrante 2: Alfredo Flores Luna, Integrante 3: José Alfredo Juárez Morales, Integrante 4: Daniel Hernández López, Integrante 5: José Enrique Ortega Luna, Integrante 6: Omar Rodríguez Vera I. El presente documento tiene como fin dar a conocer la pertinente demostración de los componentes electrónicos aplicado un circuito como etapa de potencia,
Enviado por Daniel Hdez L. Dano / 1.664 Palabras / 7 Páginas -
LABORATORIO DE ELECTRONICA I TRANSISTORES MOSFET PRACTICA #7
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE HONDURAS EN EL VALLE DE SULA Resultado de imagen para UNAH DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA INDUSTRIAL LABORATORIO DE ELECTRONICA I TRANSISTORES MOSFET PRACTICA #7 CATEDRATICO ING. PEDRO VASQUEZ INSTRUCTOR ING. GABRIEL MOLINA ESTUDIANTE BRIAN JOSUE ZELAYA SANDOVAL 20143000197 SECCION DE LABORATORIO SABADO 0900 SAN PEDRO SULA, CORTES 1 DICIEMBRE DEL 2018 INTRODUCCION Los transistores MOSFET o FET de metal oxido semiconductor es un tipo de FET CONTROLADO POR TENSION. Su principal
Enviado por Brian Zelaya / 900 Palabras / 4 Páginas -
¿Qué es el transistor?
[1] Taller de Electrónica (Enero 2019) Melissa Velasco - 201711544, Jorge Acevedo - 201711644 During the development of this workshop, the reader can find all the necessary information to feed their knowledge with respect to the basic concepts of transistors such as their classification, their use, importance and a little of their history. This development in order not only to provide knowledge to the reader but also as authors of this, with the development of
Enviado por Alexander Acevedo / 7.123 Palabras / 29 Páginas -
SEMICONDUCTORES (TRANSISTORES)
SEMICONDUCTORES ÍNDICE Contenido Semiconductores 3 DOPAJE 5 DIODOS 6 POLARIZACION DIRECTA E INVERSA Y TRANSISTORES 7 Semiconductores Los semiconductores son materiales capaces de conducir electricidad mejor que los aislantes pero peor que los metales, como sabemos el semiconductor más utilizado es el silicio ya que es más abundante en la naturaleza. Resultado de imagen para semiconductores El silicio tiene 4 electrones en su última capa de valencia, esto quiere decir que su último orbital está
Enviado por jorge_1997. / 809 Palabras / 4 Páginas -
Transistor bipolar de union
TRANSISTOR (TBJ) Introducción Las diferentes tecnologías aplicadas en la construcción de transistores, básicamente, son: 1. Bipolar de unión (TBJ) 2. Efecto de campo De unión (JFET) De metal óxido semiconductor (MOSFET) 1. Bipolar de compuerta aislada (IGBT) Transistor Bipolar de Unión (TBJ) Un diodo se construye uniendo en una sola placa de Si un semiconductor tipo n con uno tipo p, como se muestra en la Figura 1. Figura 1. Diodo sin polarizar Figura 2.
Enviado por haros97 / 3.381 Palabras / 14 Páginas -
COMPROBAR EL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
Instituto Tecnológico de La Paz Departamento de Metal-Mecánica Ingeniería Electromecánica Trabajo realizado para la materia Electrónica analógica Reporte de Transistor como amplificador Alumno: Juan Carlos Campos Romero Mario Alejandro Cota Gastelum Luis Alfredo Gutiérrez León Francisco Javier Domínguez Romero Jorge Antonio Olachea Agúndez Alberto Armenta Manríquez Docente: Ing. Juan Pablo Morales Álvarez Fecha de entrega: {12 / Mayo / 2014} http://www.itlp.edu.mx/../logos/logos.files/logotec.gif INSTITUTO TECNOLOGICO DE LA PAZ ELECTRONICA 1 PAGINA 1 VERSION FECHA: 12/05/2014 INFORMACION BASICA
Enviado por Luis Gutierrez / 1.054 Palabras / 5 Páginas -
CALCULOS TEORICOS - PRACTICA #2 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION
LABORATORIO I DE ELECTRONICA CALCULOS TEORICOS - PRACTICA #2 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION CAMILA ANDREA SOTELO CRUZ- DANIEL ESTEBAN HOYOS INTRODUCCION Teniendo en cuenta la definición de lo que es un transistor bipolar en esa práctica buscaremos sacarle provecho poniendo a prueba algunas de sus muchas características. El transistor bipolar de unión o BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido formado por dos uniones de materiales semiconductores, típicamente silicio. En este dispositivo es posible
Enviado por Darius Black / 1.376 Palabras / 6 Páginas -
El transistor bipolar
RESUMEN: El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. Se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia
Enviado por José Basantes / 1.098 Palabras / 5 Páginas -
Simulación de las características y propiedades de los transistores de efecto campo
C:\Users\Equipo\Desktop\ese.jfif C:\Users\Equipo\Desktop\estes.jfif UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE UNIDAD DE GESTIÓN DE TECNOLGÍAS Electrónica Básica ELECTROMECÁNICA 1. DATOS INFORMATIVOS TEMA: Simulación de las características y propiedades de los transistores de efecto campo. INTEGRANTES: -Caiza Serrano Mateo Andrés -Vique Steven -Panchi Alex DOCENTE: Ing. Andrea Vivanco 1. OBJETIVOS: * Objetivo General: * Analizar el funcionamiento del programa Proteus. * Objetivos Específicos: * Determinar la funcionabilidad de los transistores de efecto de campo. * Simular en Proteus el
Enviado por Mateo CS :v / 417 Palabras / 2 Páginas -
UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES UNIDAD 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE 1.-Explicar el principio de operación de JFET a partir de su construcción y polarización. Principio de operación a partir de su construcción. Este transistor de efecto de juntura su principio de funcionamiento se basa en el efecto de campo, para poder explicar y entender mejor utilizare la siguiente imagen. Mediante la animación representaremos al transistor JFET (figura 1) como un cilindro y
Enviado por Miguel Martinez De La Cruz / 1.208 Palabras / 5 Páginas -
Segunda generacion transistor
“INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL” Cecyt 9 “Juan de Dios Batiz” Computación I Alumna: Jessica Millan Robles Profesor: Sergio Vergara Bolaños “USO DE LA TIC” tic2.jpg (487×444) “TIC” (Tecnologías de la información y la comunicación) Las tecnologías de la información y la comunicación (TIC) son todas aquellas herramientas y programas que tratan, administran, transmiten y comparten la información mediante soportes tecnológicos. La informática, Internet y las telecomunicaciones son las TIC más extendidas. TIC MÁS COTIDIANAS EN LA
Enviado por Jessica Millán / 344 Palabras / 2 Páginas -
Laboratorio EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II LABORATORIO # 1 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET. PRESENTADO POR: BLAIDY MANTILLA 901102005 JORGE ECHEVERRY 901111016 JAMER MARTINEZ 901111033 LUIS MERCADO 901111017 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II LABORATORIO # 1 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET. OBJETIVOS: * Medir la corriente de saturación y el voltaje Pinch-off del FET. EQUIPOS Y MATERIALES DESCRIPCIÓN CANTIDAD Multimetro Digital 1 Fuente de Voltaje DC a 9 V 1 Fuente de Voltaje DC
Enviado por Jorge Echeverry / 652 Palabras / 3 Páginas -
ELECTRONICA DE POTENCIA. Transistores
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CUAUTLA LICENCIATURA: Ingeniería en Mecatrónica GRUPO: 6 J11 Asignatura: ELECTRONICA DE POTENCIA Tarea: P2- Transistores de potencia. PROFESOR: ING: Jesús Adolfo Jiménez Ramos PRESENTA: Héctor D. Sánchez Paredes José Juan Vázquez Diaz Jesús F. Flores Limas Cristian N. Ávila Morales OBJETIVO: Los transistores son elementos muy versátiles. Podemos conectarlos dentro de un circuito de muy diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia en tensión, en intensidad o en
Enviado por Hector Sanchez Paredes / 454 Palabras / 2 Páginas -
Practica #9 Transistores Electrónica I
Practica #9 Transistores Electrónica I GUÍA DE PUNTAJE (Reportes de Prácticas) M. en C. Francisco Javier Enríquez Aguilera al167950@alumnos.uacj.mx , al169665@alumnos.uacj.mx Eduardo Tellez Cruz 167950 Mauricio Alan Pinales Jiménez 169665 Actividad a Evaluar Puntaje máximo (Puntos) Puntaje obtenido (Puntos) Puntaje obtenido por Criterio Introducción 10 Desarrollo 20 Resultados 20 Objetivo 10 Conclusiones 10 Bibliografía 10 Ortografía 20 Sumatoria El reporte está sustentado con el correcto funcionamiento de la práctica realizada en el Laboratorio Si No
Enviado por Alan Pinales / 971 Palabras / 4 Páginas -
Amplificador con transistores
Informe de Proyecto II Liliam Capa, Lilian Curicho, Jéssica Proaño, Alex Soto Junio 2019 Universidad de las Fuerzas Armadas - ESPE. Departamento de Eléctrica y Electrónica. Electrónica II Resumen El sonido estéreo se refiere a la creación de sonido usando varios canales de audio. Lo que hace es crear la ilusión de sonido proveniente de diferentes direcciones y es un método mucho más efectivo de imitar los sonidos que escuchamos en nuestro entorno, a diferencia
Enviado por Angie Mejía / 1.164 Palabras / 5 Páginas -
Practica de diodos y transistores
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL VALLE DE MÉXICO (UPVM) FUNDAMENTOS DE LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA Alumna: Acevedo Quero Isis Aida Matricula:1318232490 Grupo: 870501 Profesor: Fernando Pérez Díaz No. practica: 1 Practica: Diodos y transistores UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL VALLE DE MÉXICO (UPVM) FUNDAMENTOS DE LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA Alumna: Monroy Rivera Ana Paula Matricula: 1318232334 Grupo: 870501 Profesor: Fernando Pérez Díaz No. practica: 1 Practica: Diodos y transistores UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL VALLE DE MÉXICO (UPVM) FUNDAMENTOS DE LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Enviado por Paula Monroy / 957 Palabras / 4 Páginas -
Reporte de laboratorio #4: Introducción al transistor bipolar (BJT)
Reporte de laboratorio #4: Introducción al transistor bipolar (BJT) Byron Roberto Hernández, Mario Francisco Padilla, Eliezer Israel Iriarte. Facultad de Ingenieria, UNITEC Email del Primer Autor, Email del Segundo Autor, eli_ezer@unitec.edu Resumen- En este experimento se llevaron a cabo dos partes, la parte introductoria a los transistores bipolares BJT, tanto el transistor NPN como el transistor PNP. Así como también se diferenciaron sus corrientes y polaridades para identificar cuáles son las características que los identifican
Enviado por adrianalg210 / 1.088 Palabras / 5 Páginas -
Practica de transistores bjt
OBJETIVOS Utilizar el diodo como rectificador Armar y probar una fuente regulada de voltaje Armar y probar un circuito limitador de voltaje positivo y negativo INTRODUCCIÓN TEÓRICA Rectificador de onda completa El rectificador de onda completa es un circuito empleado para aprovechar ambos semiciclos de la corriente alterna y obtener corriente directa como resultado ideal (positivo y negativo) aunque el resultado aparenta ser el mismo que en el rectificador de media onda, en este caso
Enviado por bety8909 / 838 Palabras / 4 Páginas -
HISTORIA DEL TRANSISTOR
Historia del transistor Carlos David Salazar Cardona ID. 746477 Docente: Carlos Alberto Tique Introducción a la Tecnología Universidad Uniminuto Ciudad: Bogotá, D.C 29 Marzo de 2020 Introducción En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca de la creación y evolución de los transistores, teniendo en cuenta sus principios de funcionamiento, sus características, sus modos de conexión y la importancia de la aplicación a la Electrónica. Historia del transistor El transistor es el invento más
Enviado por Mayra6 / 756 Palabras / 4 Páginas -
PRÁCTICA # 1 POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES JFET
INGENIERÍA ELECTRÓNICA descarga.jpg Cuenca PRÁCTICA # 1 POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES JFET Inga Paida Luis Fernando lingap@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana Laboratorio de Electrónica Analógica II Duchi Lucero Manuel Ismael mduchil@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana Duchi Lucero Manuel Ismael mduchil@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana mduchil@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana Abstract- In the development of this practice, the different polarization configurations of the JFET MPF102 transistor will be presented, which are: polarization with Gate source, auto polarization, polarization with voltage
Enviado por Diego Nugra / 1.873 Palabras / 8 Páginas -
Transistor JFET respuesta en frecuencia
Electrónica II Actividad #3, ponderación 5% Datos : hfe = 100 ; fT = 1000 MHz ; = 3 pF , ; VBE = 0.7 V a) Determine analíticamente la respuesta en frecuencia de los circuitos amplificadores , es decir, calcular la respuesta en baja frecuencia y la respuesta en alta frecuencia b) Arme el circuito en CIRCUIT MAKER y haga la simulación para determinar los parámetros del amplificador : Ganancia de tensión Ganancia de
Enviado por sacbix123 / 288 Palabras / 2 Páginas -
LABORATORIO # 1 DE TRANSISTORES
LABORATORIO # 1 DE TRANSISTORES Daniel Badillo, Julián Morales, Jorge Rebellón, Jefferson Mina El transistor es un dispositivo electronico semiconductor utilizado para entregar una señal de Salida en respuesta a una señal de entrada, cumple funciones de amplificacion, oscilador, conmutador o rectificador. Hoy en dia podemos encontrarlos en cualquier tipo de aparatos electrónicos tales como televisores, computadores, radios, teléfonos celulares entre otros se conocen como circuitos integrados. INTRODUCCION En este laboratorio demostraremos las tres zonas
Enviado por dabaca1987 / 345 Palabras / 2 Páginas -
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Práctica 3: “ACTIVACIÓN DEL FET” UNIDAD DE APRENDIZAJE: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. Objetivo: El Alumno aprendera a diseñar un puente H usando MOSFET. MATERIAL. 1. Computadora 2. Software para simulación de circuitos electrónicos. 3. Fuente de voltaje regulable. 4. Diodos de acción rápida. 5. 4 interruptores 6. Protoboard 7. JFET, 2N4220 o MOSFER IF540 / y su hoja de datos. 8. Multímetro 9. pusos de reloj 10. Motor de CD 11. Flip-Flop tipo D
Enviado por Luis Fernando Gonzalez Gutierrez / 744 Palabras / 3 Páginas -
Potencia de transistor clase A
Cuestionario Previo 1: 1. Investigue y reporte la eficiencia teórica máxima (ηmáx), el ángulo de conducción (θ), el punto de operación (Q), nivel de distorsión (baja, moderada o alta) y las aplicaciones del amplificador clase A. La eficiencia (η) de un amplificador viene de la relación de potencias y depende completamente de la configuración que se le dé al amplificador. Los amplificadores clase A tienen una eficiencia máxima del 25% utilizando configuraciones usuales, pero se
Enviado por G. Fabián Montoya Retana / 452 Palabras / 2 Páginas -
Análisis transistor
Power Factor Correction E. Millan and A. Colillanca Abstract – In this report the improvement of an evil has studied factor of power using condensers that have been calculated theoretically. To estimate the improvement there has been in use a meter of factor of power. I. Introducción: El cos φ es la relación entre la potencia activa (P) y la aparente (S). En una instalación eléctrica donde todos los equipos conectados se comportan como cargas
Enviado por Estebanmillan / 2.226 Palabras / 9 Páginas -
Resumen Diseño de transistores
INSTITUTO TECNOLOGICO DE SALTILLO.- Departamento de Ciencias Basicas 2011 TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SALTILLO Diseño de transistores Docente: Jesús Guerrero Contreras Hora clase: 7:00-8:00pm RESUMEN Alumno: Ángel Rolando Berlanga Hernández 16/oct/20 Saltillo, Coah. 6.4 La conexión emisor-colector. Hay tres maneras de conectar de conectar un transistor en EMISOR-COMUN, en COLECTOR COMUN, o en BASE COMUN. En la siguiente figura el lado común o masa de cada fuente de tensión está conectado al
Enviado por Ángel Berlanga / 1.081 Palabras / 5 Páginas -
Semiconductores.Funcionamiento de los transistores y tiristores
Imagen relacionada ________________ Resultado de imagen para transistor dibujo Imagen relacionada Contenido INTRODUCCIÓN 2 Impurezas en los semiconductores extrínsecos 2 Diodos 5 Transistores 6 Tiristores 8 Conclusión 8 Figura 1 Impurezas tipo N. 3 Figura 2 Representación del nivel de energía permitido justo por debajo de la banda de conducción. 4 Figura 3 Impurezas tipo P 4 Figura 4 Representación de nivel de energía permitido encima de la banda de valencias. 5 Figura 6 Símbolo
Enviado por Angelica Macias / 1.308 Palabras / 6 Páginas -
Transistores BJT Electrónica
Transistores BJT Electrónica 1 Instituto IACC 1) La tabla 1 muestra los símbolos de los transistores PNP y NPN. En cada caso, explique en qué dirección fluyen las corrientes de base y de colector una vez polarizados los mismos. Transistor BJT Dirección de las corrientes (Ib e Ic) PNP= En este tipo de transistor la corriente fluye desde el emisor (Ie) hacia el colector (Ic) y a su vez hacia la base (Ib). La corriente
Enviado por Beto_13_27 / 571 Palabras / 3 Páginas -
Características y Polarización del Transistor BJT
UNIVERSIDAD TECNÓLOGICA EQUINOCCIAL logo ute.jpg CAMPUS ARTURO RUIZ MORA SANTO DOMINGO - ECUADOR GUÍA DE PRÁCTICA No 5 1. Tema: Características y Polarización del Transistor BJT. 2. Objetivos * Comprobar en la práctica el cumplimiento de las ecuaciones que rigen la operación de un transistor bipolar de unión. * Determinar el punto Q de funcionamiento. * Determinar prácticamente el Beta del BJT empleado en un circuito de polarización por divisor de voltaje. 3. Marco teórico
Enviado por Geovanny Yaguana / 821 Palabras / 4 Páginas -
Transistores BJT Electrónica 1
Transistores BJT Electrónica 1 Instituto IACC 1) La tabla 1 muestra los símbolos de los transistores PNP y NPN. En cada caso, explique en qué dirección fluyen las corrientes de base y de colector una vez polarizados los mismos. Transistor BJT Dirección de las corrientes (Ib e Ic) PNP= En este tipo de transistor la corriente fluye desde el emisor (Ie) hacia el colector (Ic) y a su vez hacia la base (Ib). La corriente
Enviado por Beto_13_27 / 571 Palabras / 3 Páginas -
PRÁCTICA 2 CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR
PRÁCTICA 2 CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR EMISOR COMÚN Objetivos. * Recordar las configuraciones básicas de los transistores. * En función de los valores encontrados, determinar el área de trabajo del transistor. * Comprobar que los datos teóricos obtenidos se verifican de forma experimental. * Comprobar las características de un amplificador de emisor-común, mediante las siguientes mediciones: 1. Punto de operación. 2. Ganancia de voltaje. Material. * 1 transistor npn (pueden ser el BC547) * 2
Enviado por J M / 438 Palabras / 2 Páginas -
Polarización del transistor BJT
Polarización del transistor BJT Víctor Cisterna Concha Electrónica 1 Instituto IACC 22-01-21 Desarrollo 1. * La importancia de la operación en la región lineal * La importancia de la recta de carga estática Considerando que la temperatura afecta a todo semiconductor, para el transistor no es la excepción. La recta de carga estática representa los puntos de funcionamiento (Vce, Ic) de un transistor para un circuito. Se debe considerar solo las fuentes de tensión continuas
Enviado por Victor Cisterna / 296 Palabras / 2 Páginas -
DISEÑO CON TRANSISTORES - CIRCUITO RESUELTO
Cuestionario Unidad 2 1. ¿Qué es un optoacoplador? R= Un optoacoplador o también conocido como optoaislador es un interruptor que es activado mediante una luz infrarroja emitida por un diodo led hacia un fototransistor o cualquier otro dispositivo capaz de detectar los infrarrojos. 2. ¿Cómo está compuesto un optoacoplador? R= El optoacoplador está compuesto por 2 elementos principales que son: un led infrarrojo y un elemento capaz de detectar la luz infrarroja como puede ser
Enviado por jerubi / 318 Palabras / 2 Páginas -
Transistores ¿Qué diferencia hay entre un transistor npn y un pnp?
________________ Transistores ¿Qué diferencia hay entre un transistor npn y un pnp? R= la diferencia de NPN a PNP es que el NPN empieza a conducir cuando la unión base emisor es polarizada en directo (fluye corriente de la base al emisor). El emisor está conectado al negativo de la batería y la base a un voltaje positivo pero menor que el de la batería. La diferencia de PNP a NPN es que empieza a
Enviado por jona0101 / 255 Palabras / 2 Páginas -
Aplicaciones de Circuitos RC, RL y del transistor como elemento de Conmutación
República Bolivariana de Venezuela. Ministerio del Poder Popular para la Educación Universitaria Instituto Universitario Politécnico “Santiago Mariño”. Aplicaciones de Circuitos RC, RL y del transistor como elemento de Conmutación ________________ INTRODUCCION Los Circuitos RC, RL básicamente están compuestos por resistencias, bobinas y un condensador, cada uno de ellos se comportan según sus componentes, RC (condensador) RL (Bobinas). Los transistores pueden funcionar en conmutación (interruptores) que a diferencia de los interruptores convencionales donde siempre existen piezas
Enviado por Jose Alfredo Martinez / 2.074 Palabras / 9 Páginas -
Diseño con Transistores
INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE IRAPUATO Diseño con Transistores García Belmán Luis Carlos Belmancarlos39@gmail.com Resumen: En el siguiente documento se mostrará el análisis de 3 capacitores el cual forman un filtro el cual se mostrará la frecuencia de corte y se comprobará por medio de mathcad. Reporte de practica: Se mostrará los resultados obtenidos, graficas de las pruebas que se aplicaron a los capacitores Palabras clave: Transistor, capacitor, resistencia, hfe y hoe, Beta, frecuencias, corte, filtro
Enviado por tony_hdZ_hdZ / 585 Palabras / 3 Páginas -
Transistores
Lab 7 Timer Es un conteo que se realiza prácticamente en paralelo con la ejecución del programa principal. El conteo se realiza a una frecuencia variable y establecida mediante divisores de frecuencia. Algunas aplicaciones de los timers son PWM y generación de señales precisas. Resultado de imagen para pwm timers prescaler Es una constante que sirve como divisor de frecuencias. Esto determina la frecuencia con la que se realizara el conteo. El valor del pre-scaler
Enviado por LorenaG10 / 1.078 Palabras / 5 Páginas -
Circuito amplificador mediante transistor BJT en configuración emisor común y colector común
Circuito amplificador mediante transistor BJT en configuración emisor común y colector común (Universal). G.U. Camilo, código: 25472099 (Universidad nacional de colombia, ccgarciau@unal.edu.co) Abstract En el emisor común se nombre se debe a que el emisor es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración, en este circuito se relaciona la corriente de entrada Ib con el voltaje de entrada Vbe para varios niveles de salida Vce y en la salida se
Enviado por Camilo Garcia Urueña / 1.023 Palabras / 5 Páginas -
Electronica ,curvas características del transistor
Objetivos Obtener las curvas características del transistor. Así como conocer cómo se comporta un transistor Obtener la ganancia del transistor como en configuración emisor común Introducción Los transistores son dispositivos de tres terminales con tres capas semiconductoras que tienen una base o capa central mucho más delgada que las otras dos. Las dos capas externas son de materiales tipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesto. Desarrollo Se simulara el circuito de
Enviado por Diana Medina / 372 Palabras / 2 Páginas -
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS . Transistor de Unión Bipolar (BJT)
P. P. Ing. Electrónica (IV semestre) Experimento 5: LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Transistor de Unión Bipolar (BJT) Grupo: Horario: Fecha: / / 2009 Integrantes: ( Apellidos / Nombre ) Código Firma 1. Objetivos : * Determinar e identificar el tipo, terminales y materiales del transistor BJT, usando el multímetro digital (DMM) * Graficar las características del transistor con métodos experimentales. * Determinar el valor de α y de β de un transistor BJT 2. Temas
Enviado por gerald ochoa perez / 2.687 Palabras / 11 Páginas -
Transistores bjt
TRANSISTORES BJT Marco Antonio Pino Lima ELECTRONICA I Instituto IACC 21 de junio de 2021 Desarrollo 1.- en la siguiente tabla se muestra los símbolos de los transistores NPN y PNP explique en cada una de ellas en qué dirección fluye la corriente de base y colector una vez polarizados. Transistor BJT Polarización del transistor BJT Dirección de las corrientes () Transistor NPN: Según la dirección convencional de la corriente y utilizando las leyes de
Enviado por m.pino.m / 915 Palabras / 4 Páginas -
“AMPLIFICADOR BASICO CON TRANSISTOR DE UNION O JFET”
Facultad de Ingeniería Mecánica Universidad Nacional de Ingeniería (Perú) - Wikipedia, la enciclopedia libre Escuela Profesional de Ingeniería Mecatrónica UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Universidad Nacional de Ingeniería (Perú) - Wikipedia, la enciclopedia libre INFORME N°3 “AMPLIFICADOR BASICO CON TRANSISTOR DE UNION O JFET” Curso: Análisis y Diseño de Sistemas Electrónicos Profesor: Huamani Huamani, Edilberto Segundo Alumnos: Código: 20170041D 22 - JUNIO - LIMA 2021 ÍNDICE Índice De Figuras 3 I. Observaciones.
Enviado por 6sa4d5a44 / 323 Palabras / 2 Páginas -
TRANSISTORES BJT
TRANSISTORES BJT Felipe Escobar Electrónica 1 Instituto IACC 29/06/2021 ________________ 1) La tabla 1 muestra los símbolos de los transistores PNP y NPN. En cada caso, explique en qué dirección fluyen las corrientes de base y de colector una vez polarizados los mismos. NPN: un transistor NPN opera cuando la corriente fluye a través de la base de este transistor. En este tipo de transistor, la corriente fluye desde el colector indicado por la letra
Enviado por felipe.escobar / 530 Palabras / 3 Páginas -
Labaratorio 3, Transistores
INGENIERIA INDUSTRIAL. ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA. ABRIL 2021´ Labaratorio 3, Transistores Abstract This practice is going to be done in order to reinforce what is seen about transistors, their different functions such as: oscillation and amplification. In addition to identifying its components. This time we will work with transistors type BJT. I INTRODUCCION´ Esta practica se va a realizar con el fin de reforzar lo visto acerca de transistores, sus diferentes funciones tales como: oscilacion y
Enviado por Juan012000 / 1.682 Palabras / 7 Páginas -
Transistor BJT en conmutación
Universidad Politécnica Salesiana. Transistor BJT en Conmutación. Transistor BJT enConmutación Jaramillo Sánchez Isauro David ijaramillos@est.ups.edu.ec Universidad Politécnica Salesiana Abstract. -The following report provides a theoretical about switching operation of a BJT transistor, functioning and characteristics was made. Also the calculations for all circuits made in practice to develop, and if it is found necessary circuit simulations. 1. OBJETIVOS 1. Comprobar el funcionamiento del transistor BJT en conmutación. 2. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de
Enviado por CRISTY YAHIDIBI FARRUFIA RENTERIA / 1.047 Palabras / 5 Páginas -
El pequeño gran transistor
El pequeño gran transistor Hoy en día, no podríamos usar una computadora con gran eficacia sin hablar de los transistores. Estos, llegaron a cambiar por completo a toda una disciplina como es la electrónica moderna, dando lugar a la nueva era tecnológica de los siglos XX y XXI. Esto nos lleva a que, prácticamente, cualquier dispositivo que utilicemos funciona gracias a los millones de piezas que se encuentran dentro de sus circuitos, lo que nos
Enviado por Ángel Enrique Barrón Velázquez / 600 Palabras / 3 Páginas