Deposito de películas de ZnO mediante sputtering por magnetrón

UNIVERSIDAD POLITECNICA DEL VALLE DE MEXICO

PROFESOR:

CARLOS CAMACHO OLGUIN

GPO:

160501

ALUMNA:

DURAN SANCHEZ BRENDA

DEPOSITO DE PELÍCULAS DE ZnO MEDIANTE SPUTTERING POR MAGNETRÓN

DEPOSITO DE PELÍCULAS DE ZnO MEDIANTE SPUTTERING POR MAGNETRÓN

En muchos casos, se han depositado películas que ahora superan a las películas depositadas por otros procesos de deposición física de vapor (PVD), y pueden ofrecer la misma funcionalidad que las películas más gruesas producidas por otras técnicas de recubrimiento de superficie.

Uno de los problemas es que las muestras están compuestas de varios elementos, por lo que habrá que distinguirlos. Por tanto, se tiene que mejorar la resolución espacial. Existen varios procesos electrónicos en las superficies.

Esta técnica posee mayor energía y tasa de ionización que RF, lo que hace aumentarlos parámetros del plasma

Existen tres posibles maneras de crecimiento de las películas sobre una superficie: mediante islas, por capas y por islas mas capas.

Se utiliza Magnetron debido a que un campo magnético configurado en paralelo a la superficie del blanco, puede limitar el movimiento de electrones secundarios en las cercanías del blanco. La captura de los electrones aumenta considerablemente la probabilidad de que una colisión ionizante electrón-átomo ocurra. El aumento de la eficiencia de ionización debido al magnetrón produce un plasma denso en la región del blanco.

La diferencia entre el diseño de un magnetrón convencional y un magnetrón desbalanceado son pequeñas. Sin embargo, la diferencia en el rendimiento entre los dos tipos de magnetrones es muy significativa. En un magnetrón convencional, el plasma es muy limitado a la región del blanco. Una región de plasma denso por lo general se extiende unos 60 mm de la superficie del blanco y películas crecidas sobre sustratos colocados dentro de esta región serán sometidas a un bombardeo de iones concurrentes que pueden influir fuertemente en la estructura y propiedades de la película en crecimiento. Sustratos colocados fuera de esta región, se encontraran en una zona de baja densidad del plasma.

La energía de los iones bombardeantes puede incrementarse mediante el aumento de la tendencia negativa aplicada al sustrato, sin embargo, esto puede conducir a defectos en la película e incrementar el estrés de la película, y por lo tanto, ser perjudicial para las propiedades de la película en general. Por esta razón, es difícil depositar películas muy densas y grandes o componentes complejos utilizando magnetrones convencionales.

El proceso de sputtering se puede realizar en los modos de DC o RF. El sputtering DC se realiza con materiales conductores y el sputtering RF con materiales aislantes.

ENCENDIDO DEL SISTEMA Y SPUTTERING

Antes de encender la bomba de difusión se debe asegurar que las válvulas, principal de desbaste, de línea frontal y de ventilación de la cámara estén cerradas.

Se enciende el interruptor principal y el interruptor de la bomba mecánica, después de que el ruido de trabajo de la bomba disminuye, se abre la válvula de línea frontal y se enciende la bomba de difusión

Después de aproximadamente 20 min la bomba de difusión iniciará su funcionamiento, durante este tiempo se puede llevar a cabo la carga ZnO.

Se abre la ventilación de la cámara, se abre la cámara y se fija el material que se utilizará como blanco en los cátodos.

Se fija eL ZnO sobre el soporte dentro de la cámara, y la ventilación de la cámara.

Se abre la válvula de desbaste y por aproximadamente 15 miunutos

Se cierra la válvula de desbaste y se

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