Practicas de Hazz
Carlos BecerraTrabajo2 de Octubre de 2015
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[pic 1]
CURVA CARACTERISTICA V – I Y APLICACIONES DE DIODOS PN[pic 2]
OBJETIVO: El alumno debe obtener la curva característica V - I punto a punto de un diodo PN, medir las variables eléctricas (I y V) en circuitos básicos de aplicación utilizando diodos semiconductores PN. Así como aprender a resolver circuitos de uno o varios diodos mediante simulación, tanto para una señal de entrada variable como constante.
INTRODUCCIÓN:
Con esta práctica se tienen planeado que logremos obtener las mediciones requeridas para poder conseguir los elementos claves necesarios para obtener nuestra curva característica tal cual se nos pedirá más adelante.
CORRELACIÓN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: Relacione la practica con el tema o subtema visto en clase.
MATERIAL Y EQUIPO | ||
Cantidad | Material para practica | Equipo de Medición |
3 | Diodos 1N4001 o Equivalente de silicio | Milímetro |
2 | Diodos de Germanio | Osciloscopio |
2 | Resistencias 1.2 KΩ | Fuente de Alimentación 0 – 20V |
1 | Resistencia 1KΩ | Generador de Señales |
1 | Resistencia 470 Ω | Puntas atenuadas para Osciloscopio |
1 | Resistencia 220 Ω | Termómetro |
1 | Bolsa de Caimanes | Encendedor |
1 | Protoboard | |
3 | Hojas de papel Cuadriculado. |
DESARROLLO DE LA METODOLOGÍA:
1.- Comprobación de componentes: Con la ayuda de un multímetro verifique que los diodos se encuentran en buen estado y que la resistencia a utilizar sea del valor adecuado.
2.- Construya el circuito básico todos los aparatos de medición requeridos para obtener la curva característica punto a punto del diodo de silicio y después cambie el diodo de Germanio por el de silicio.
Diodo de silicio
Voltaje aplicado Fuente (VDC) | Voltaje a través del diodo (VD) | Corriente por el diodo (IDC) | Resistencia del diodo (RCD) | Ecuaciones |
2 | 0.61V | 1.37mA | 445.255Ω | [pic 3] |
4 | 0.65V | 3.83mA | 196.195 Ω | |
6 | 0.67V | 5.33mA | 125.70 Ω | |
8 | 0.69V | 7.59mA | 90.90 Ω | |
10 | 0.70V | 9.33mA | 75.02 Ω | |
12 | 0.71V | 11.37mA | 62.44 Ω | |
14 | 0.72V | 13.56mA | 53.09 Ω | |
16 | 0.72V | 15.42mA | 46.69 Ω | |
18 | 0.72V | 17.53mA | 41.07 Ω | |
20 | 0.73V | 19.7mA | 37.05 Ω |
Diodo de Germanio
Voltaje aplicado Fuente (VDC) | Voltaje a través del diodo (VD) | Corriente por el diodo (IDC) | Resistencia del diodo (RCD) | Ecuaciones |
2 | 0.602 V | 1.394 A | 434.93Ω | [pic 4] |
4 | 0.632V | 3.368 A | 187.74 Ω | |
6 | 0.647V | 5.353 A | 120.96 Ω | |
8 | 0.658V | 7.342 A | 89.60 Ω | |
10 | 0.668V | 9.333 A | 71.6 Ω | |
12 | 0.676V | 11.324 A | 59.73 Ω | |
14 | 0.683V | 13.317 A | 51.34 Ω | |
16 | 0.690V | 15.31 A | 45.10 Ω | |
18 | 0.696V | 17.305 A | 40.27 Ω | |
20 | 0.702V | 19.298 A | 36.42 Ω |
3.- Determine el Voltaje de umbral (disparo) de los diodos empleados y muéstrelos en la tabla 1.
4.- Obtenga las mediciones de corriente, voltaje y resistencia de los diodos indicadas en la tabla 1.
5.- Grafique las curvas características V- I de acuerdo a los valores indicados en la tabla1:
A) Para el silicio (color rojo),
[pic 5]
B) Para el germanio (color azul)
[pic 6]
6.- En una sola hoja grafique las dos curvas (Si y Ge) a colores.
[pic 7]
7.- Incremente la temperatura del diodo de silicio y el de germanio, de acuerdo a la siguiente tabla y grafique los resultados.
Vdc = 13 V | DIODO DE SILICIO | DIODO DE GERMANIO | ||||
Temperatura | Vd (V) | Id (mA) | Rdc (Ω | Vd (V) | Id (mA) | Rdc (Ω |
26° | 0.70 | 0.73 | 0.958 | 0.32 | 1.7 | 0.05 |
35° | 0.65 | 3.5 | 0.185 | 0.35 | 5.13 | 0.18 |
45° | 0.58 | 11.4 | 0.05 | 0.30 | 13.54 | 0.06 |
60° | 0.35 | 15.3 | 0.035 | 0.38 | 15.4 | 0.02 |
[pic 8]
[pic 9][pic 10]
Curva características V-I del Silicio y Germanio con efecto de temperatura
8. Realizar dicha práctica a través de una simulación y explique diferencias entre la simulación y practico
Diodo de Silicio (Simulación)
Voltaje aplicado Fuente (VDC) | Voltaje a través del diodo (VD) | Corriente por el diodo (IDC) | Resistencia del diodo (RCD) | Ecuaciones |
2 | 554.53 mV | 1.446 mA | 383.492 mΩ | [pic 11] |
4 | 598.875 mV | 3.401 mA | 176.088 mΩ | |
6 | 622.656 mV | 5.378 mA | 115.778 mΩ | |
8 | 638.984 mV | 7.362 mA | 86.795 mΩ | |
10 | 651.433 mV | 9.349 mA | 69.679 mΩ | |
12 | 661.501 mV | 11.34 mA | 58.333 mΩ | |
14 | 669.957 mV | 13.332 mA | 50.252 mΩ | |
16 | 677.249 mV | 15.325 mA | 44.192 mΩ | |
18 | 683.661 mV | 17.319 mA | 39.475 mΩ | |
20 | 689.385 mV | 19.313 mA | 35.695 mΩ |
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