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Practicas de Hazz

Carlos BecerraTrabajo2 de Octubre de 2015

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Página 1 de 15

[pic 1]

                                     CURVA CARACTERISTICA  V – I Y APLICACIONES DE DIODOS PN[pic 2]

OBJETIVO: El alumno debe  obtener la curva característica V - I punto a punto de un diodo PN, medir las variables eléctricas (I y V) en circuitos básicos de aplicación utilizando diodos semiconductores PN. Así como  aprender a resolver circuitos de uno o varios diodos mediante simulación, tanto para una  señal de entrada  variable  como constante.

INTRODUCCIÓN:

Con esta práctica se tienen planeado que logremos obtener las mediciones requeridas para poder conseguir los elementos claves necesarios para obtener nuestra curva característica tal cual se nos pedirá más adelante.

CORRELACIÓN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: Relacione la practica con el tema o subtema visto en clase.

                                  MATERIAL Y EQUIPO

Cantidad

Material para practica

Equipo de Medición

           3

Diodos 1N4001 o Equivalente de silicio

Milímetro

2

Diodos de Germanio

Osciloscopio

2

Resistencias 1.2 KΩ

Fuente de Alimentación 0 – 20V

1

Resistencia 1KΩ

Generador de Señales

1

Resistencia 470 Ω

Puntas atenuadas para Osciloscopio

1

Resistencia  220 Ω

Termómetro

1

Bolsa de Caimanes

Encendedor

1

Protoboard

3

Hojas de papel Cuadriculado.

 

 DESARROLLO DE LA METODOLOGÍA:

1.- Comprobación de componentes: Con la ayuda de un multímetro verifique  que los diodos se encuentran en buen estado y que la  resistencia a utilizar sea del valor adecuado.

2.- Construya  el circuito básico todos los aparatos de medición requeridos para obtener la curva característica punto a punto del  diodo de silicio y después cambie el diodo de Germanio por el de silicio.

Diodo de silicio

Voltaje aplicado

Fuente (VDC)

Voltaje a través del diodo  (VD)

Corriente por el diodo   (IDC)

Resistencia  del diodo   (RCD)

Ecuaciones

2

0.61V

1.37mA

445.255Ω

[pic 3]

4

0.65V

3.83mA

196.195 Ω

6

0.67V

5.33mA

125.70 Ω

8

0.69V

7.59mA

90.90 Ω

10

0.70V

9.33mA

75.02 Ω

12

0.71V

11.37mA

62.44 Ω

14

0.72V

13.56mA

53.09 Ω

16

0.72V

15.42mA

46.69 Ω

18

0.72V

17.53mA

41.07 Ω

20

0.73V

19.7mA

37.05 Ω

   

Diodo de Germanio                

Voltaje aplicado

Fuente (VDC)

Voltaje a través del diodo  (VD)

Corriente por el diodo   (IDC)

Resistencia  del diodo   (RCD)

Ecuaciones

2

0.602 V

1.394 A

434.93Ω

[pic 4]

4

0.632V

3.368 A

187.74 Ω

6

0.647V

5.353 A

120.96 Ω

8

0.658V

7.342 A

89.60 Ω

10

0.668V

9.333 A

71.6 Ω

12

0.676V

11.324 A

59.73 Ω

14

0.683V

13.317 A

51.34 Ω

16

0.690V

15.31 A

45.10 Ω

18

0.696V

17.305 A

40.27 Ω

20

0.702V

19.298 A

36.42 Ω

3.- Determine el Voltaje de umbral (disparo) de los diodos empleados y muéstrelos en la tabla 1.

4.- Obtenga las mediciones de corriente, voltaje y resistencia de los diodos  indicadas en la tabla 1.

5.- Grafique las curvas características  V- I de acuerdo a los valores indicados en la tabla1:

A)  Para el silicio (color rojo),                                                      

           [pic 5]             

B) Para el germanio (color azul)

[pic 6]

6.- En una sola hoja grafique las dos curvas (Si y Ge) a colores.

[pic 7]

7.-  Incremente la temperatura del diodo de silicio y el de germanio, de acuerdo a la siguiente tabla y grafique los resultados.

Vdc = 13 V

DIODO DE SILICIO

DIODO DE GERMANIO

Temperatura

Vd (V)

Id (mA)

Rdc (Ω

Vd (V)

Id (mA)

Rdc (Ω

26°

0.70

0.73

0.958

0.32

1.7

0.05

35°

0.65

3.5

0.185

0.35

5.13

0.18

45°

0.58

11.4

0.05

0.30

13.54

0.06

60°

0.35

15.3

0.035

0.38

15.4

0.02

[pic 8]

[pic 9][pic 10]

Curva características V-I del Silicio y Germanio  con efecto de temperatura


8. Realizar dicha práctica a través de una simulación y explique diferencias entre la simulación y practico

Diodo de Silicio  (Simulación)

Voltaje aplicado

Fuente (VDC)

Voltaje a través del diodo  (VD)

Corriente por el diodo   (IDC)

Resistencia  del diodo   (RCD)

Ecuaciones

2

554.53 mV

1.446 mA

383.492 mΩ

[pic 11]

4

598.875 mV

3.401 mA

176.088 mΩ

6

622.656 mV

5.378 mA

115.778 mΩ

8

638.984 mV

7.362 mA

86.795 mΩ

10

651.433 mV

9.349 mA

69.679 mΩ

12

661.501 mV

11.34 mA

58.333 mΩ

14

669.957 mV

13.332 mA

50.252 mΩ

16

677.249 mV

15.325 mA

44.192 mΩ

18

683.661 mV

17.319 mA

39.475 mΩ

20

689.385 mV

19.313 mA

35.695 mΩ

...

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