Gneradores De Microondas

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA

FUERZA ARMADA NACIONAL BOLIVARIANA

UNEFA

CARRERA: ING. DE TELECOMUNICACIONES

CÁTEDRA: MICROONDAS

NÚCLEO SUCRE

DISPOSITIVOS GENERADORES DE MICROONDAS

Prof. Realizado por:

INGMSC Jenry Balebona Buttó, Eliaxis. C.I: 19 762 336

Fuenmayor, Fraidelys. C.I: 23 582 094

6to Semestre / Sección 01

Cumaná, Noviembre del 2012

DISPOSITIVOS GENERADORES DE MICROONDAS

Las microondas se generan de varias maneras, generalmente dividido en dos categorías:

 Los dispositivos de estado sólido que están basados en semiconductores tales como: silicio o GaAs e incluye: transistores de efecto de campo (FET), transistores de unión bipolar (BJT), diodos Gunn y diodos IMPATT. Variantes de BJT incluye transistores de heterounión bipolar (HBT) y variantes de FET incluye el MESFET y HEMT (HFET).

 Transistores de efecto de campo (FET): Es un transistor que depende de un campo eléctrico para controlar la forma y la conductividad de un canal en un material semiconductor; se utilizan a veces como resistencias controladas por voltaje. Cabe destacar que los terminales de un FET son puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). El voltaje aplicado entre la puerta y la fuente modula la corriente entre la fuente y el drenaje. Asimismo se resaltan los tipos de FET, entre los cuales podemos mencionar MOSFET (Metal- Oxido-Semiconductor FET); JFET (Junction FET); MESFET (Metal- Semiconductor FET, se usa en CMOS circuitos integrados; construidos con GaAs, InP o SiC; operan a 30 GHz y tienen su aplicación en comunicaciones con microondas y radar); HEMT (HFET, heteroestructura; High Electron Mobility Transistors; utiliza una combinación de GaAs y AlGaAs; pueden trabajar a más de 200 GHz, tiene sus aplicaciones en comunicaciones de microondas y onda milímetro, radar y radio astronomía); TFT (película delgada).

 Transistores de unión bipolar (BJT): Están construidos con semiconductores dopados y emplea ambos tipos de cargadores de carga (electrones y huecos). Tienen un sándwich de tres franjas (PNP o NPN). La franja central es la base (B, de alta resistividad); al variar la corriente hacia la base, se puede variar la corriente que fluye entre el emisor (E) y un tercer terminal, el colector (C) (ambos de baja resistividad). Se usan como amplificadores de corriente.

 Diodo Gunn: (Dispositivo de electrón transferido (TED)) es un diodo utilizado en electrónica de alta frecuencia; consiste de semiconductores dopado N. (Dos franjas altamente dopadas N; franja fina en medio, débilmente dopada; tiene una región de resistencia diferencial negativa). Se utilizan en osciladores de relajación para frecuencias de 10 GHz o mayores (THz), con una cavidad de resonancia para controlar la frecuencia.

 Diodo PIN: Es un diodo semiconductor que consta de dos regiones, una tipo P y otra tipo N altamente dopadas y separadas por una región intrínseca de mayor resistividad. Estos dispositivos son muy utilizados en desplazadores de fase y conmutadores de señales microondas. Los dispositivos diseñados con diodos pin se destacan por sus bajas pérdidas de inserción y elevado desempeño con señales de altas frecuencias. La principal ventaja del diodo PIN frente a un diodo convencional es la mejora en la respuesta de conmutación de señales microondas. Cuando se manejan señales de baja frecuencia los efectos reactivos que se presentan en las uniones del diodo se consideran despreciables. Estos efectos son asociados con la difusión de portadores, electrones y huecos, a través de la unión. Este tipo de diodo se utilizan en frecuencias de microondas, es decir, que exceden de 1GHZ. Se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.

 Diodos IMPATT (IMPact ionization Avalanche Transit Time): Son diodos de alta potencia usados en electrónica de alta frecuencia y dispositivos de microondas; hechos de SiC. Operan en frecuencias entre 3 y 100 GHz o más y tienen aplicación en sistemas de radar.

 Transistores de heterounión bipolar (HBT): En una mejora de los BJT para manejar señales de muy alta frecuencia (varios cientos de GHz); son utilizados en circuitos ultra-rápidos, en sistemas de radio frecuencia (RF). Utilizan diferentes materiales para el sustrato: Si, Si-Ge; AlGaAs; GaAs; InP; InGaP; GaN; InGaN.

 Los dispositivos de tubos de vacío que operan en base a movimiento de electrones al vacío bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos controladores, e incluye: el magnetron, el klystron, tubo de onda viajera (TWT) y gyrotron.

Por consiguiente los tubos

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