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Material semiconductor que se ha sometido al proceso de dopado

Esli SolExamen17 de Marzo de 2017

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EVALUACIÓN DE

ELECTRÓNICA BÁSICA, 50

PREGUNTAS, TIEMPO = 1 HORA


1. Es un material semiconductor que se ha sometido al proceso de dopado.

  1. Intrínseco
  2. Extrínseco
  3. Contaminado
  4. Impurificado

2. Material cristalino aislado de toda impureza.

  1. Intrínseco
  2. Extrínseco
  3. Contaminado
  4. Impurificado

3. Son materiales extrínsecos.

  1. Tipo N y Germanio.
  2. Germanio y Silicio.
  3. Tipo N y tipo P.
  4. Boro y Fósforo

4. Son materiales Intrínsecos.

  1. Tipo N y Germanio.
  2. Germanio y Silicio.
  3. Tipo N y tipo P.
  4. Boro y Fósforo

5. Tiene portadores mayoritarios los huecos y portadores minoritarios los electrones

a) Tipo N

  1. Tipo P
  2. Unión NP
  3. Tipo T

6. Se forma al impurificar un cristal puro con elementos que en su última órbita tienen 3 electrones (Boro).

a) Tipo N

  1. Tipo P
  2. Unión NP
  3. Tipo T

7. La gráfica pertenece a:

  1. Diodo semiconductor de Silicio.
  2. Diodo semiconductor de Germanio.
  3. Diodo zener
  4. Diodo semiconductor varicap

[pic 3]


8. La gráfica pertenece a:

  1. Diodo semiconductor.
  2. Diodo Schottky
  3. Diodo zener
  4. Diodo varicap[pic 4]


9. El simbolo, pertece a un:

a) Diodo Infrarojo.

  1. Diodo zener
  2. Diodo Emisor de luz
  3. Diodo semiconductor

[pic 5]


10. El simbolo, pertece a un:

a) Diodo Infrarojo.

  1. Diodo Tunel
  2. Diodo Emisor de luz
  3. Diodo Schottky

[pic 6]


11. Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns)

a) Diodo Infrarojo.

  1. Diodo zener
  2. Diodo de silicio rápido
  3. Diodo Schottky

12. El simbolo, pertece a un:

a) Diodo Infrarojo.

  1. Diodo Tunel
  2. Diodo Emisor de luz
  3. Diodo Schottky

[pic 7]


  1. Señala la región de saturación de un transistor NPN BJT

Ic[pic 8]


  1. El símbolo pertenece a un:
  1. Transistor BJT NPN
  2. Transistor BJT PNP
  3. Transistor JFET canal N
  4. Transistor JFET canal P[pic 9]


15. El símbolo pertenece a:

  1. Transistor MOSFET Decremental canal N
  2. Transistor MOSFET Decremental canal P
  3. Transistor JFET canal N
  4. Transistor JFET canal P[pic 10]


16. Las terminales de un FET son:

  1. Base, Colector emisor
  2. Ánodo , cátodo y compuerta.
  3. Fuente, drenado y compuerta.
  4. +Vcc, - Vcc, Output.

17. La configuración del circuito es:

  1. Circuito de polarización fija.
  2. Circuito retroalimentado en el emisor.[pic 11]
  3. Circuito de emisor común.
  4. Circuito de división de voltaje.


18. El símbolo pertenece a:

  1. Transistor MOSFET Decremental canal N
  2. Transistor MOSFET Decremental canal P
  3. Transistor MOSFET Incremental canal P
  4. Transistor MOSFET Incremental canal N

[pic 12]


19. El siguiente símbolo representa un:

  1. Amplificador BJT.
  2. SCR
  3. Triac
  4. Amplificador operacional

[pic 13]


20. El siguiente circuito representa un:

  1. Filtro Pasa bajo
  2. Filtro Pasa alto
  3. Filtro Pasa banda
  4. Filtro Rechaza banda[pic 14]


21. La siguiente gráfica representa un:

  1. Filtro Pasa bajo
  2. Filtro Pasa alto
  3. Filtro Pasa banda
  4. Filtro Rechaza banda[pic 15]

v

        fc        f

22.- Un amplificador operacional tiene:

  1. Impedancia de entrada nula, impedancia de salida nula, ganancia infinita.
  2. Impedancia de entrada infinita, impedancia de salida nula, ganancia infinita.
  3. Impedancia de entrada nula e impedancia de salida infinita, ganancia baja.
  4. Impedancia de entrada infinita e impedancia de salida infinita, ganancia baja.

23.- Para calcular la frecuencia en un multivibrador Astable es:

  1. f = 1.44 * (R1 + 2R2) * C
  2. b) f = 1.44 * (R1 + R2 ) / C
  3. c) f = 1.44 *C / (R1 + 2R2)
  4. f = 1.44 / (R1 + 2R2)C

24. El siguiente diagrama es de un multivibrador:

  1. Monoestable  
  2. Astable  
  3. RC[pic 16]
  4. LC


25. Al siguiente oscilador se le denomina.

  1. Oscilador Puente de Wien
  2. Oscilador controlado por voltaje (VCO)
  3. Oscilador Colpitts
  4. Oscilador Hartley

[pic 17]


26. Dada la gráfica y el diagrama se afirma que se tiene un.

  1. Amp. Op diferencial
  2. Amp. Op. Integrador
  3. Amp. Op sumador
  4. Amp. Op. Derivador [pic 18]


27. La siguiente configuración LLC, es la que caracteriza al :

a) Oscilador Puente de Wien b/Oscilador controlado por voltaje (VCO)

c) Oscilador Colpitts

d) Oscilador Hartley[pic 19]

Donde C = C1* C2 / C1 + C2

28. La fórmula para calcular la frecuencia de oscilación en un oscilador Colpitts es:

  1. fo =  1 / 2πLC
  2. fo =  2πLC
  3. fo =  2π LC[pic 20]
  4. fo =  1 / 2π LC[pic 21]

29. El siguiente circuito equivalente pertenece a un:

  1. Diodo semiconductor
  2. Transistor
  3. Resistencia
  4. Cristal

[pic 22][pic 23]

 30. Analiza la condición matemática que ha de cumplirse para que un circuito oscile.

  1. Criterio de Karnaught
  2. Criterio de Colpitts
  3. Criterio de Barkhausen.
  4. Criterio de Thevenin

31. El siguiente símbolo es de un:

  1. cristal.
  2. Puente de diodos.[pic 24]
  3. SCR
  4. Diac        

32. Siendo las condiciones RF =

RG1=RG2 = RG3, el circuito es un:

  1. A. O. Sumador
  2. A.O Sumador inversor
  3. A.O promediador.
  4. A.O comparador[pic 25]

33. Siendo las condiciones RG1 = RG2 = RG3 = R; y también RF = R/3, el circuito es un:

...

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