SINTESIS DE NPS POR CVD

CVD

CINÉTICA DE LOS PROCESOS DE CVD

Una muestra puede obtener distintas reacciones, Homogeneas y Heterogeneas.

En las Homogeneas se suelen producir partículas que pueden caer sobre el sustrato depositándose sobre la superficie con poca adherencia dando asi a las minas de baja calidad, cuando se pretende un recubrimiento se deven obtimizar los parmetros experimentales para minimizar la formaicion de polvo.

En la síntesis de materiales en forma de polvo es mas presiso promover reacciones homogéneas que herterogeneas, esto se consgue al ir aumentando la presión de los gases para favorecer su interacción entre moléculas.

Cuando una reaccon se identifica en una fase heterogenea, resulta muy frecuente considerar los procesos de CVD que tienen lugar según la sucesión en 2 etapas:

Transporte de masa: comprende desde el transporte de las especies reactivas hasta la superficie del substrato. .En algunos casos, las especies reactivas que dan lugar al crecimiento de la pel.cula

se forman mediante reacciones homogeneas entre los gases de partida, lo cual constituye una etapa adicional en el proceso de CVD y la etapa superficial. De estas la etapa mas lente determinara la velocidad de la reacción.

TÉCNICAS DE CVD

Existen numerosas variantes de la t.cnica de CVD, clasificadas según el sistema de activaci.n mediante el cual se posibilita la reacción, ya que se supone que en ausencia de activación los gases no reaccionar.an o lo harían con una velocidad muy lenta.

CVD TÉRMICO

Consta de un sistema de inyección de gases o vapores precursores, un sistema que mantiene la presión constante durante el proceso, una fuente de calor que activa la reacción, y un substrato sobre el cual se deposita el producto sólido de la misma. Con objeto de evitar la incorporación de impurezas en la película, tanto los gases precursores de partida como los subproductos de la reacción y otras especies presentes en el proceso deben ser volátiles en las condiciones existentes de presi.n y temperatura.

La fuente de calor en un reactor de CVD puede actuar directamente sobre el substrato y las paredes del reactor (reactores de pared caliente), o s.lo sobre el substrato (reactores de pared fría).

Los parámetros variables en un proceso básico de CVD suelen ser: presión total de los gases en el reactor, temperatura del substrato, flujo total y composici.n de la mezcla gaseosa, yposición geométrica del substrato en relación con el reactor y con las líneas de flujo de los gases. Cuando se requiere altas velocidades de reacción, o se pretende la síntesis de materiales en forma de polvo se suele trabajar los reactores suelen trabajar a presión atmosférica que suelen ser reducidas alrededor de 1 Torr y no requieren equipo de vacio.

CVD ASISTIDO POR PLASMA

En las técnicas de CVD asistida por plasma normalmente se trabaja a presiones reducidas, entre 0.01 y 1 Torr, por lo que estas técnicas ofrecen las ventajas asociadas a la técnica de LPCVD, es decir la uniformidad del recubrimiento incluso en piezas de tres dimensiones. Una de las variables ms. importantes es ahora la densidad de potencia de la descarga ya que los tiempos de vida media de las especies del plasma son muy

Cortos por lo que es preciso

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