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Resumen Diseño de transistores


Enviado por   •  18 de Octubre de 2020  •  Resúmenes  •  1.081 Palabras (5 Páginas)  •  227 Visitas

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[pic 1]

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SALTILLO

Diseño de transistores

Docente: Jesús Guerrero Contreras

Hora clase: 7:00-8:00pm

RESUMEN

Alumno: Ángel Rolando Berlanga Hernández

16/oct/20

Saltillo, Coah.

6.4 La conexión emisor-colector.

Hay tres maneras de conectar de conectar un transistor en EMISOR-COMUN, en COLECTOR COMUN, o en BASE COMUN.

En la siguiente figura el lado común o masa de cada fuente de tensión está conectado al emisor.

Es por eso que el circuito se conoce como configuración en emisor común.

[pic 2]

Subíndices dobles. En los circuitos de transistores se usa la notación de doble subíndice. Cuando los subíndices son iguales, la tensión representa una fuente (VBB y VCC).

Cuando los subíndices son diferentes representan las tensiones entre dos puntos (VBE Y VCE).

Subíndices simples. Se usan para las tensiones de los nodos, es decir tensiones entre dos puntos, del subíndice y masa. Por ejemplo en la figura 6.7, la tensión VB es la tensión entre la base y la masa, la tensión, Vc es la tensión entre el colector y masa, y la tensión VE es ña tensión entre el emisor y masa.

6.5 Curva característica de entrada.

La curva es como la de un diodo normal, ya que estamos hablando de la corriente de base y la tensión de un diodo de emisor.

Aplicando la ley de ohm la resistencia de base, se obtiene la siguiente derivación.

[pic 3]

Si se utiliza un diodo ideal, VBE=0. Con la segunda aproximación, VBE=0.7 V.

En la mayoría de las veces, la segunda aproximación, será el mejor compromiso, para que los cálculos sean más sencillos, al usar un diodo ideal, y la precisión al usar aproximaciones, superiores.

6.6 Curva característica de salida.

Ahora que podemos calcular la corriente de base, como VBB polariza en directa el diodo emisor, todo lo que necesitamos hacer es solo calcular la corriente a través de la resistencia de base, Rb.

Pero en este subtema nos enfocaremos en la malla del colector, en la siguiente figura se puede variar VBB y VCC para establecer diferentes tensiones y corrientes en el transistor. Midiendo en IC y VCE, se obtienen los datos para una curva de IC en función de VCE.

[pic 4]

En la figura 6.9 se muestra la curva de un transistor 2N2904, es un transistor de baja potencia muy utilizado, aunque en otros transistores los números pueden variar pero la forma de la curva es similar.

Cuando VCE es 0 el diodo de colector no tiene polarización inversa. Esta es la razón por la que la curva, muestra una corriente de colector cero.

Cuando VCE crece de cero, la corriente de colector, se eleva rápidamente, cuando VCE es de pocas decenas de voltios, la corriente de colectar se hace casi constante e igual a 1 mA.

Tensión y potencia de colector.

La ley de kirchoff para el circuito 6.9 dice  que la suma de todas la tensiones a lo largo de una malla cerrada es igual a cero. Que nos da la siguiente ecuación:

[pic 5]

Indica que la tensión colector- emisor es igual a la tensión de la fuente de polarización de colector VCC menos la tensión que hay en la resistencia de colector.

El transistor presenta una disipación de potencia aproximada de

[pic 6]

Esta ecuación nos menciona que la potencia disipada por el transistor es igual a la tensión colector-emisor multiplicada por la corriente de colector.

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