Diseño VLSI
Enviado por mahch • 25 de Noviembre de 2012 • Exámen • 1.496 Palabras (6 Páginas) • 396 Visitas
Examen 1er Parcial ESPE
Diseño VLSI
Ing. Byron Navas
1. Un ejemplo de chip VLSI es:
a) Intel 8086
b) 74161 Counter
c) 8253 Programmable Timmer
d) ninguna de las anteriores
2. El nivel de abstracción “Circuit” es menor que:
a) System
b) Device
c) Gate
d) ninguna opción es correcta
3. Cuando se da mayor detalle, el nivel de abstracción es:
a) cercano a NMOS
b) cercano a PMOS
c) inferior
d) ninguna opción es correcta
4. El transistor MOS fue creado ___ y consume ____ potencia que el BJT.
a) antes, menor
b) antes, mayor
c) después, menor
d) ninguna opción es correcta
5. MOS significa
a) Metal On Silicon
b) Metal Oxide Semiconductor
c) Metal Over Silice
d) ninguna opción es correcta
6. Un transistor MOS es visto como:
a) resistencia controlada por corriente
b) metal controlado por voltaje
c) resistencia en paralelo
d) ninguna opción es correcta
7. En un NMOS y PMOS, cuando Vgs es cero, Rds es:
a) cero
b) muy baja
c) muy alta
d) ninguna opción es correcta
8. En un Inversor CMOS, un extremo del canal del PMOS se conecta al NMOS y el otro extremo a:
a) Vdd
b) Vss
c) depende de la tecnología usada
d) ninguna opción es correcta
9. En un Inversor CMOS, el transistor PMOS se pone “on” cuando la entrada tiene un nivel lógico:
a) Low
b) High
c) 3.3V
d) ninguna opción es correcta
10. En una compuerta NAND CMOS, los transistores de pull-down están colocados en:
a) serie
b) paralelo
c) off
d) ninguna opción es correcta
11. En una familia AOI, los subíndices iguales a 1 son entradas directas del ___ nivel y los mayores que 1 son del ___ nivel
a) 1er, 2do y 3ero
b) 2do, 1er
c) 1er, 2do
d) ninguna opción es correcta
12. OAI21(A,B,C) representa la función:
a) ((A+B).C)’
b) ((A+B)’.C)’
c) ((A+B)’.C’)’
d) ninguna opción es correcta
13. El procedimiento para construir celdas AOI en un solo stage CMOS indica que el circuito bubble-in corresponde al stack:
a) NMOS
b) PMOS
c) BICMOS
d) ninguna opción es correcta
14. En una familia AOI con todas sus variantes, el stack pull-up va siempre conectado a:
a) Vss
b) Vdd
c) Vgs
d) ninguna opción es correcta
15. El digital designer debe conocer exactamente los detalles del proceso de manufactura del chip.
a) verdadero
b) falso
c) si, pero además los patterns de la mascara
d) ninguna opción es correcta
16. Las restricciones (constraints) de las reglas de diseño se refieren al
a) ancho y separación mínima entre patterns
b) largo y separación máxima entre patterns
c) ancho, espesor de los patterns y Wells
d) ancho y largo del gate
17. En el proceso CMOS, cuando el substrato tiene un tipo de material igual que el canal, debe crearse un:
a) substrato de material opuesto
b) difussion de tipo opuesto
c) well
d) ninguna opción es correcta
18. Un chip que todavía no tiene empaquetado y pines se conoce como:
a) wafer
b) die
c) oblea de silicio
d) ninguna opción es correcta
19. El yield o rendimiento del proceso CMOS en un wafer se define como el porcentaje de
a) chips buenos / chips malos
b) chips buenos/chips en total
c) dies buenos/ dies con error
d) ninguna opción es correcta
20. Una manera de reducir la densidad de defectos en un wafer es
a) utilizando dual-well process
b) incrementando la
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