MANEJO DE EQUIPOS ELECTRÓNICOS
Enviado por jelema5 • 14 de Mayo de 2019 • Informes • 1.039 Palabras (5 Páginas) • 60 Visitas
MANEJO DE EQUIPOS ELECTRÓNICOS
Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE
Departamento de Eléctrica y Electrónica - Ingeniería mecatrónica
Chilcañan Arturo, Lema Jefferson
aachilcanan@espe.edu.ec, jelema5@espe.edu.ec
ABSTRACT
Diodes are semiconductor electronic devices that have allowed society to move forward with technology, since it has different forms of implementation, either functioning as a short circuit allowing electricity to pass or simply as an open circuit. The functionality of the diodes will depend on the circuit in which it is being used.
Keywords: Semiconductors, Circuit, Diode
RESUMEN
Los diodos son dispositivos electrónicos semiconductores que han permitido a la sociedad ir avanzando con la tecnología, ya que tiene diferentes formas de implementación ya sea funcionando como un cortocircuito dejando pasar la electricidad o como un circuito abierto simplemente. La funcionalidad de los diodos dependerá del circuito en el que se lo esté utilizando.
Palabras claves: Semiconductores, Circuito, Diodo
- OBJETIVOS
-Verificar experimentalmente la teoría recibida en clases mediante la utilización de un diodo N14007.
-Recordar el uso de instrumentos de medida, mediante la medición de parámetros eléctricos, a fin de utilizar adecuadamente sus características y análisis de mediciones.
-Analizar el comportamiento de un diodo midiendo voltaje y corriente al polarizar directa e indirectamente.
- MARCO TEÓRICO
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.
El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenómenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
Diodo semiconductor
El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área de estado sólido.
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica, sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización inversa).
Polarización directa de un diodo
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Polarización inversa de un diodo
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:
Curva característica del diodo
Tensión umbral
La tensión umbral, también llamada barrera de potencial de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Corriente máxima
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
Corriente inversa de saturación
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura
- DESARROLLO
DATOS LABORATORIO
1.- Diodo N14007 polarizado directamente en serie con una resistencia de 110 ohmios.
Vin | Vout [v] | Ir [mA] |
0,4 | 0,38 | 0.2 |
0,6 | 0,6 | 0.4 |
0,7 | 0,59 | 1.3 |
0,8 | 0,60 | 1.7 |
1 | 0,64 | 3 |
3 | 0,7 | 20.3 |
5 | 0,75 | 38.2 |
10 | 0,77 | 82.9 |
2.- Diodo N14007 polarizado inversamente en serie con una resistencia de 110 ohmios.
Vin | Vout [v] | Ir [mA] |
0,4 | 0,39 | 0 |
0,6 | 0,58 | 0 |
0,7 | 0,69 | 0 |
0,8 | 0,78 | 0 |
1 | 0.99 | 0 |
3 | 3 | 0 |
5 | 4.58 | 0 |
10 | 9.99 | 0 |
3.- Diodo N14007 polarizado directamente en serie con una resistencia de 220 ohmios.
Vin | Vout [v] | Ir [mA] |
0,4 | 0,34 | 0.09 |
0,6 | 0,52 | 0.2 |
0,7 | 0,56 | 0.5 |
0,8 | 0,59 | 0.9 |
1 | 0.6 | 1.2 |
3 | 0.7 | 10 |
5 | 0.73 | 19.2 |
10 | 0.76 | 41.6 |
4.- Diodo N14007 polarizado inversamente en serie con una resistencia de 220 ohmios.
Vin | Vout [v] | Ir [mA] |
0,4 | 0,39 | 0 |
0,6 | 0,6 | 0 |
0,7 | 0,69 | 0 |
0,8 | 0,78 | 0 |
1 | 1 | 0 |
3 | 2.99 | 0 |
5 | 4.97 | 0 |
10 | 10 | 0 |
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